Silicon Carbide Substrate 6inch 8inch NG Grade N Type 4H SiC Wafer IGBT - Soka Technology
Silicon Carbide Substrate 6inch 8inch NG Grade N Type 4H SiC Wafer IGBT - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

실리콘 카바이드 EPI 기판 6인치 생산 등급 SiC 웨이퍼 IGBT

Sale price$1,390.00
항목 수:1 항목
Quantity:
♦️ 연구 및 실험용 고품질 SiC 웨이퍼.
♦️ 소량, 특수사양 제품, 맞춤형 서비스 제공 .
SiC 기판 사양:
  • 크기: 6인치;
  • 직경: 150mm±0.5;
  • 두께: 350um±25;
  • 유형: 축외: N 유형;
  • 기본 플랫 위치 :<1120>+/-5도 ;
  • 에피 표면 검사
  • 표면 피트(크기 > 0.2um): ≦ 5000개

  • 표면 결함(크기 > 10um): ≤ 1 ea/cm-2;

  • BPD 수:≦ 20개

  • 다이 수율(2*2mm, EE 5mm): ≥ 95%;

  • 버퍼 레이어

  • 표적 두께 (평균): 0.5um±10%;

  • 목표 도핑 농도(평균):;1.0E18/cm3 ±10%;

  • 드리프트 레이어

  • 대상 두께(평균): 10um ±6%;

  • 목표 도핑 농도(평균):8.5E15/cm3 ±10%;

  • 웨이퍼 에지: 모따기 ;
  • 표면 처리: 양면 광택, Si Face CMP;
  • 패킹: 다 웨이퍼 카세트 또는 단 하나 웨이퍼 콘테이너;


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