Samsung und SK hynix entfachen KI-Speicherwettlauf mit Musterlieferungen von 12-Layer-HBM4E

Der Wettbewerb auf dem globalen Markt für Speicher für künstliche Intelligenz hat einen kritischen Wendepunkt erreicht, da Südkoreas führende Halbleitergiganten Samsung Electronics und SK hynix offiziell mit Musterlieferungen ihrer nächsten Generation, zwölflagigen High Bandwidth Memory 4 Extended, bekannt als HBM4E, begonnen haben. Dieser Meilenstein markiert den Beginn strenger Kundenqualifizierungsphasen bei großen Entwicklern von Beschleunigern für künstliche Intelligenz, darunter Nvidia, Advanced Micro Devices und Google, und setzt damit einen neuen Hardware-Standard für Rechenzentren der nächsten Generation und Hyperscale-Infrastrukturen.

Samsung Electronics nutzte seine umfassenden Integrationsfähigkeiten im Halbleiterbereich, um sich einen frühen Vorsprung zu sichern, und kündigte die branchenweit erste Musterlieferung am neunundzwanzigsten Mai zweitausendsechsundzwanzig an. Samsungs zwölflagiges HBM4E basiert auf dem fortschrittlichsten sechsten Dynamic Random Access Memory-Prozess der Zehn-Nanometer-Klasse der Branche, bezeichnet als one-c, kombiniert mit einem proprietären Logik-Base-Die der vier-Nanometer-Klasse, gefertigt von Samsung Foundry. Diese Integration ermöglicht eine stabile Datenübertragungsgeschwindigkeit von vierzehn Gigabit pro Sekunde pro Pin, mit Skalierbarkeit bis zu sechzehn Gigabit pro Sekunde. Die Architektur liefert eine beeindruckende Speicherbandbreite von bis zu drei Komma sechs Terabyte pro Sekunde pro einzelnem Stack sowie eine Stack-Kapazität von achtundvierzig Gigabyte, ein Anstieg um dreißig Prozent gegenüber früheren Generationen. Durch fortschrittliche Low-Power-Design-Frameworks und strukturelle Package-Optimierungen hat Samsung im Vergleich zur vorherigen Generation eine um sechzehn Prozent bessere Energieeffizienz sowie um mehr als vierzehn Prozent verbesserte thermische Widerstandseigenschaften erreicht. Mit Blick auf die Zukunft beabsichtigt Samsung, sein Ökosystem durch die Bereitstellung von dreiunddreißig Gigabyte Acht-Layer- und vierundsechzig Gigabyte Sechzehn-Layer-Konfigurationen für unterschiedliche Rechenlasten von Kunden zu erweitern.

Gleichzeitig reagierte SK hynix schnell, indem es am achtzehnten Juni zweitausendsechsundzwanzig seine zwölflagigen HBM4E-Muster einführte und damit seine Position als Full-Stack-Anbieter von Speicher für künstliche Intelligenz untermauerte. Die SK-hynix-Implementierung erreicht eine maximale Datenverarbeitungsgeschwindigkeit von sechzehn Gigabit pro Sekunde pro Pin und steigert die Energieeffizienz im Vergleich zur vorherigen Generation um mehr als zwanzig Prozent, was den für das Training und die Inferenz großer Sprachmodelle entscheidenden Datendurchsatz erheblich erhöht. Um den akuten thermischen Herausforderungen hochdichter High-Performance-Computing-Systeme zu begegnen, setzte SK hynix seine proprietäre Advanced Mass Reflow Molded Underfill-Verpackungstechnologie ein. Dieses Verfahren stapelt sorgfältig zwölf Schichten mit Dies von zweiunddreißig Gigabit, um eine Gesamtkapazität von achtundvierzig Gigabyte zu realisieren, während gleichzeitig der strukturelle Wärmewiderstand im Vergleich zu Standardkonfigurationen um siebzehn Prozent reduziert wird. Branchenberichte deuten darauf hin, dass SK hynix darauf abzielt, fortschrittliche Prozessknoten zu nutzen, einschließlich möglicher Kooperationen für ein Foundry-Base-Die in drei-Nanometer-Technologie, um eine Bandbreite der Klasse von massiven vier Komma null Terabyte pro Sekunde zu erreichen. Während beide Unternehmen sich in Richtung der vollständigen kommerziellen Massenproduktion im Einklang mit den Einsatzplänen der Kunden bewegen, stellt dieser erbitterte technologische Wettbewerb sicher, dass die Recheninfrastruktur, die die weltweite Innovation im Bereich künstliche Intelligenz antreibt, beispiellose Sprünge bei Geschwindigkeit, Effizienz und thermischer Stabilität erleben wird.