700-Volt-PowerGaN-Transistoren in einer hocheffizienten Stromversorgungslösung

STMicroelectronics bringt 700-Volt-PowerGaN für hocheffiziente Leistungslösungen auf den Markt

Die 700-Volt-PowerGaN-Transistoren von STMicroelectronics erhöhen die Leistungsdichte und Effizienz in verschiedenen Anwendungen.
STMicroelectronics hat die Einführung seiner neuen 700-Volt-PowerGaN-Transistorfamilie „700-Volt PowerGaN“ angekündigt. Diese Galliumnitrid-High-Electron-Mobility-Transistoren sind darauf ausgelegt, eine höhere Effizienz und Leistungsdichte in anspruchsvollen Anwendungen zu ermöglichen. Bei Bestellungen von 1.000 Stück liegen die Preise bei etwa 0,63 Dollar bis 2,25 Dollar pro Einheit.
Diese neue PowerGaN-Serie richtet sich an Anwendungen, die hohe Zuverlässigkeit und Hochleistungsbetrieb erfordern. Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumlösungen ermöglicht Galliumnitrid-Technologie Systeme, die kleiner und leichter sind und bei niedrigeren Temperaturen arbeiten. Dies wird durch deutlich geringere Leitungsverluste und hervorragende Schalteigenschaften erreicht, die Energieverluste minimieren, insbesondere bei hohen Frequenzen. Zu den wichtigsten Anwendungsbereichen zählen Robotik, industrielle Netzteile und Smart-Grid-Wandler für Stromerzeugung, Übertragung, Verteilung und Energiespeichersysteme.
Technisch unterstützen die Galliumnitrid-HEMT-Bauelemente dieser Familie einen kontinuierlichen Strombereich von 6 bis 29 Ampere. Ihr Einschaltwiderstand — technisch als Rds-on bezeichnet — liegt zwischen 53 und 270 Milliohm. Darüber hinaus besitzen diese Transistoren eine minimale interne Kapazität und eine geringe Gate-Ladung. Der Leistungsparameter, bekannt als Figure of Merit, definiert als Gate-Ladung multipliziert mit dem Einschaltwiderstand, übertrifft den herkömmlicher Siliziumprodukte deutlich. Diese PowerGaN-Serie ist als direkter Ersatz für ältere Silizium-MOSFETs konzipiert und ermöglicht höhere Schaltfrequenzen. Diese Frequenzsteigerung erlaubt eine erhebliche Verkleinerung der zugehörigen magnetischen Komponenten und passiven Bauelemente und trägt letztlich zu einer deutlichen Verbesserung der gesamten Leistungsdichte bei.
STMicroelectronics treibt die Grenzen der Wide-Bandgap-Technologie weiter voran und bietet Lösungen, die den sich wandelnden Anforderungen an Effizienz und kompaktes Design in den Bereichen Industrie und Energiemanagement gerecht werden.