Intel hat offiziell die Intel 18A-P angekündigt, eine fortschrittliche Weiterentwicklung seiner Prozesstechnologie der 1,8-Nanometer-Klasse, und die Risikoproduktion eingeleitet. Dieser neue Node baut auf dem soliden Fundament des ursprünglichen Intel 18A auf und übernimmt zentrale strukturelle Innovationen wie RibbonFET-Gate-All-Around-Transistoren, PowerVia-Backside-Power-Delivery, Zellhöhen von 180 bis 160 Nanometern sowie einen Contacted Poly Pitch von 50 Nanometern.
Durch die Einführung mehrerer Transistoroptionen ist es Intel gelungen, Leistungssteigerungen und geringeren Stromverbrauch gleichzeitig zu erzielen. Gegenüber dem Standard-Intel 18A bietet die 18A-P-Variante eine um 9 Prozent höhere Leistung und einen um 18 Prozent geringeren Stromverbrauch. Zu den technischen Verbesserungen zählen eine Verringerung des Wärmewiderstands um 20 bis 40 Prozent sowie eine Verbesserung des Via-Widerstands um 10 bis 30 Prozent. Darüber hinaus wurde die Effizienz der Transistoren durch Strain Engineering verbessert, um die Mobilität von P-Kanal-Metalloxid-Halbleitern zu steigern. Diese Optimierung kommt zu einem kritischen Zeitpunkt, da globale Rechenzentren und Beschleuniger für künstliche Intelligenz beispiellose Energieeffizienz bei gleichzeitig hochdichten Rechenkapazitäten verlangen.
