Novel Crystal Technology, ein führendes Unternehmen im Bereich Wide-Bandgap-Halbleiter, hat offiziell den Beginn der Musterauslieferungen für seine 150 mm großen Substrate aus Beta-Galliumoxid ab März angekündigt. Dieser Meilenstein markiert einen bedeutenden Sprung gegenüber dem bisherigen 100-mm-Standard und signalisiert eine neue Ära für die Leistungselektronik.
Der Übergang zu 150 mm (6 Zoll) Wafern ist für die Halbleiterindustrie von entscheidender Bedeutung. Durch die Nutzung des Edge-defined Film-fed Growth-Verfahrens, kurz EFG-Verfahren, nutzt Novel Crystal Technology die Vorteile der Schmelzziehproduktion. Dies ermöglicht eine schnelle Skalierung und eine stabilere Versorgung mit hochwertigen Substraten mit großem Durchmesser im Vergleich zu herkömmlichen Verfahren für Siliziumkarbid.
Die Branche erwartet, dass diese Entwicklung die Massenproduktion von Leistungsbauelementen aus Beta-Galliumoxid beschleunigt. Diese Bauelemente werden wegen ihrer hohen Durchbruchspannung und Effizienz geschätzt, die für Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energienetze unerlässlich sind. Laut der Roadmap des Unternehmens werden 150-mm-Epitaxiewafer-Muster bis 2027 erwartet, die vollständige Massenproduktion ist für 2029 vorgesehen. Da die Nachfrage nach effizienter Leistungsumwandlung wächst, positioniert sich Galliumoxid als kosteneffizienter Nachfolger bestehender Hochleistungsmaterialien.
