Novel Crystal Technology enthüllt 150-Millimeter-Galliumoxid-Wafer für Leistungselektronik der nächsten Generation
150mm-Galliumnitrid-Wafer werden die Halbleiterindustrie revolutionieren, da sie eine höhere Effizienz für Leistungselektronik bieten und den Weg für Anwendungen der nächsten Generation ebnen.
Die Halbleiterindustrie erlebt einen entscheidenden Wandel, da Novel Crystal Technology offiziell den Versand von Mustern seiner 150 Millimeter (6 inch) Beta-Galliumoxid-Wafer ab März 2026 ankündigt. Dieser Meilenstein markiert einen bedeutenden Sprung gegenüber den aktuellen 100-Millimeter-Standards und positioniert Beta-Galliumoxid als leistungsstarken Nachfolger von Siliziumkarbid und Galliumnitrid im Markt für Hochleistungselektronik.
Beta-Galliumoxid besitzt im Vergleich zu herkömmlichen Wide-Bandgap-Materialien wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid eine überlegene Bandlücke. Diese physikalische Eigenschaft ermöglicht es Bauteilen, deutlich höhere Spannungen bei geringeren Energieverlusten zu verarbeiten, was es zu einem idealen Kandidaten für Wechselrichter in Elektrofahrzeugen, Netze für erneuerbare Energien und Hochspannungsanwendungen in der Industrie macht. Der Weg zur kommerziellen Wettbewerbsfähigkeit hing jedoch stets davon ab, größere Waferdurchmesser zu erreichen, um die Fertigungskosten zu senken.
Novel Crystal Technology hat sein proprietäres Edge-defined Film-fed Growth-(EFG)-Verfahren, das zuvor auf 100-Millimeter-Produktionslinien perfektioniert wurde, erfolgreich bis zur 150-Millimeter-Marke skaliert. Laut der ehrgeizigen Roadmap des Unternehmens sind Musterversendungen von 150-Millimeter-epitaktischen Wafern für 2027 geplant, während die Serienproduktion in voller Skalierung für 2029 anvisiert ist. Dieser Zeitplan steht im Einklang mit dem weltweiten Anstieg der Nachfrage nach effizienteren Energiemanagementsystemen. Da sich die Industrie in Richtung 150-Millimeter- und schließlich 200-Millimeter-Formate bewegt, dürften die Kosten pro Chip drastisch sinken und Beta-Galliumoxid schließlich in die Lage versetzen, die Dominanz von Siliziumkarbid in der globalen Lieferkette herauszufordern.
