Die globale Halbleiterindustrie erlebt einen erheblichen Wandel, da chinesische Unternehmen die Produktion von 12-Zoll-Siliziumkarbid-Substraten beschleunigen. Während sich die Branche von 6-Zoll- auf 8-Zoll-Wafer verlagert hat, erzielen führende chinesische Unternehmen bereits strategische Durchbrüche in der 12-Zoll-Technologie, um sich bei Kosten und Effizienz einen Wettbewerbsvorteil zu verschaffen. Derzeit haben mehr als zehn chinesische Firmen erfolgreich 12-Zoll-Siliziumkarbid-Substrate entwickelt und damit einen neuen Meilenstein im Wachstum von Kristallen mit großem Durchmesser gesetzt.
Der Wechsel zu 12-Zoll-Substraten wird durch die enormen wirtschaftlichen Vorteile vorangetrieben, die sie bieten. Im Vergleich zum traditionellen 6-Zoll-Wafer erhöht ein 12-Zoll-Wafer die Anzahl der verfügbaren Chips um etwa das Vierfache. Branchenführer wie Hoshine Silicon haben berichtet, dass dieser Übergang die Stückkosten von Chips um bis zu 40 Prozent senken kann. Diese Reduzierung ist entscheidend für die breite Einführung von Leistungselektronik in den Bereichen Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien.
Über die Kosteneinsparungen hinaus sind diese großformatigen Substrate darauf ausgelegt, anspruchsvolle High-End-Technologien zu erfüllen. So hat TanKeBlue beispielsweise 12-Zoll-Substrate in Kühlkörperqualität entwickelt, die speziell auf die Anforderungen des Wärmemanagements in Systemen für Künstliche Intelligenz und autonomes Fahren zugeschnitten sind. Ebenso sind die 12-Zoll-Halbisolierenden-Substrate mit hoher Reinheit von SICC für Hochfrequenzbauelemente optimiert und unterstützen die Leistungs- und Integrationsniveaus, die für Telekommunikationssysteme der nächsten Generation erforderlich sind. Während China seine Produktionskapazitäten weiter ausbaut, dürfte die großflächige Anwendung der 12-Zoll-Siliziumkarbid-Technologie die globale Landschaft der Leistungshalbleiter neu gestalten.
