Siliziumkarbid-Substratwafer in einem transparenten Behälter, der seine hochwertige Oberfläche für Forschungsanwendungen präsentiert.
Three grünlich-gelbe Kugeln unterschiedlicher Größe, dreieckig auf weißem Hintergrund angeordnet.

SOKA TECHNOLOGY

Silicon Carbide Substrate 8inch N Type Dummy Grade 4H SiC Wafer IGBT

Angebotspreis$14,600.00
Grade:Dummy Grade
Thichness:350um
Quantity:40 Pieces
Menge:
♦️High-quality SiC wafer for Research and Experiment.
♦️Provide small quantities, special specifications products, and customized services.
♦️Global shipping, secure payment, large inventory.
♦️Minimum delivery time within 1 week. Shipped by FedEx, DHL,UPS, etc.
SiC Substrate Specification:
  • Size: 8inch;
  • Type: N;
  • Diameter: 200mm±0.2;
  • Thickness: 350um±25;
  • Surface Orientation: 4 toward [11-20]±0.5°;
  • Notch orientation:[1-100]±5°;
  • Notch depth: 1~1.5mm;
  • Micropipe: <50ea/cm2;
  • Resistivity: 0.012~0.028Ω;
  • EPD: None;
  • TED: None;
  • BPD: None;
  • TTV≤20um;
  • Warp≤70um;
  • Bow≤-<65umum;
  • Poly areas: <30% Cumulative ares;
  • Chips/Indents: None;
  • Scratch:≤5,Total Length≤Diameter;
  • Stain: None;
  • Wafer edge: Chamfer;
  • Surface finish: Double Side Polish, Si Face CMP;
  • Packing: Multi-wafer Cassette Or Single Wafer Container;
  • Production time: 2~3weeks;

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