Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.
Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.

SOKA TECHNOLOGY

Silicium carbure substrat 4 pouces 6 pouces semi-isolant plaquette SiC 4H NG qualité IGBT

Prix de vente$765.00
Size:4inch
Quantity:5 Pieces
Quantité:
♦️Plaquette SiC de haute qualité pour la recherche et l’expérimentation.
♦️Propose de petites quantités, des produits aux spécifications spéciales et des services personnalisés.
♦️Livraison internationale, paiement sécurisé, vaste stock.
♦️Délai de livraison minimal sous 1 semaine. Expédié par FedEx, DHL, UPS, etc.
Spécifications du substrat SiC :
  • Taille : 4inch;
  • Diamètre : 100.8 mm ±0.5;
  • Épaisseur : 500 um±25;
  • Orientation de surface : <0001>±0.2°;
  • Orientation de la méplat primaire : [11-20]±5°;
  • Orientation de la méplat secondaire : face silicium vers le haut à 90°CW. de la méplat principale±5°;
  • Micropipe : N/A;
  • Résistivité : N/A;
  • TTV≤10um;
  • Warp≤45um;
  • Bow≤≤30um;
  • Rugosité de surface : face Si Ra≤0.5 nm;
  • Fissures : Aucune;
  • Bord de la plaquette : biseautage;
  • Finition de surface : polissage double face, CMP côté Si;
  • Conditionnement : cassette multi-plaquettes ou conteneur pour plaquette unique;


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