Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.

SOKA TECHNOLOGY

Substrat en carbure de silicium 6 pouces 4H type N, qualité production/dummy, wafer SiC pour IGBT

Prix de vente$2,100.00
Grade:P-sbd Grade
Quantity:5 Pieces
Quantité:
♦️Wafer SiC de haute qualité pour la recherche et l'expérimentation.
♦️Fourniture en petites quantités, produits aux spécifications particulières et services personnalisés.
♦️Livraison mondiale, paiement sécurisé, stock important.
♦️Délai de livraison minimum sous 1 semaine. Expédié par FedEx, DHL,UPS, etc.
Spécifications du substrat SiC :
  • Taille : 6inch;
  • Diamètre : 150mm±0.25;
  • Épaisseur : 350um±25;
  • Orientation de surface : 4°vers[11-20]±5°;
  • Orientation du méplat principal : [11-20]±5°;
  • Longueur du méplat principal : 47.5mm±1.5;
  • Second méplat : Aucun;
  • Micropipe : ≤10/cm2;
  • Résistivité : 0.015~0.028Ω;
  • TTV≤10um;
  • Warp≤55um;
  • Bow≤45um;
  • Rugosité de surface : face Si Ra<0.5 nm;
  • Fissures : Aucune;
  • Rugosité : Aucune;
  • Ébréchures des bords : ≤2, la longueur et la largeur de chacune <1mm;
  • Finition de surface : polissage double face, CMP face Si;
  • Emballage : cassette multi-wafer ou conteneur pour wafer unique;

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