Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.

SOKA TECHNOLOGY

Substrat EPI en carbure de silicium, wafer SiC 6inch, qualité production IGBT

Prix de vente$1,390.00
Quantity:1 Piece
Quantité:
♦️Wafer SiC de haute qualité pour la recherche et l'expérimentation.
♦️Fourniture de petites quantités, de produits aux spécifications particulières et de services personnalisés.
♦️Expédition internationale, paiement sécurisé, stock important.
♦️Délai de livraison minimum sous 1 semaine. Expédié par FedEx, DHL, UPS, etc.
Spécifications du substrat SiC :
  • Taille : 6inch;
  • Diamètre : 150mm±0.5;
  • Épaisseur : 350 um±25;
  • Type : hors axe : N-Type;
  • Position du méplat principal :<1120>+/-5degree
  • Inspection de la surface épitaxiale
  • piqûres de surface (taille > 0.2um) :≦ 5000 ea

  • défaut de surface (taille > 10um) :≦ 1 ea/cm-2;

  • nombre de BPD :≦ 20 ea

  • Rendement des puces (2*2mm, EE 5mm) :≧ 95%;

  • Couche tampon

  • Épaisseur cible (moy.) :0.5um±10%;

  • Concentration de dopage cible (moy.) :;1.0E18/cm3 ±10%;

  • Couche de dérive

  • Épaisseur cible (moy.) :10um ±6%;

  • Concentration de dopage cible (moy.) :8.5E15/cm3 ±10%;

  • bord du wafer : Chanfreiné;
  • Finition de surface : polissage double face, face Si CMP;
  • Conditionnement : cassette multi-wafer ou conteneur pour wafer unique;


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