Silicon wafer 4inch N Type 10~20Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate - Soka Technology
Silicon wafer 4inch N Type 10~20Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

Plaquette de silicium 4 pouces P/N type 1~10Ω, couche d’oxyde, substrat semi-conducteur

Prix de vente$35.90
Specification:P(100) 525um Oxide Layer 100nm
Quantity:1 Piece
Quantité:
♦️Plaquette de silicium de haute qualité pour la recherche et l’expérimentation.
♦️Proposer de petites quantités, des produits aux spécifications particulières et des services personnalisés.
♦️Expédition internationale, paiement sécurisé, stock important.
♦️Délai de livraison minimum sous 1 semaine. Expédié par FedEx, DHL, UPS, etc.
Spécification de la plaquette de silicium :
  • Taille : 4inch;
  • Méthode : CZ;
  • Type : P;
  • Dopeur : B;
  • Orientation :100;
  • Résistivité : 1~10Ω;
  • Épaisseur : 525um±25;
  • Film d’oxyde : 280/300/500nm (des deux côtés) ;
  • TTV<10um ;
  • Surface : polie;
  • Face arrière : gravée;
  • Conditionnement : boîtier pour plaquette de silicium ;

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