Silicon wafer 4inch P Type(100) SiN on SiO₂ Substrate - High-quality research material.
Silicon wafer 3inch P/N Type 1~10Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

Silicium wafer 3 inch Type P 0,001~0,009Ω couche d'oxyde substrat semi-conducteur

Prix de vente$39.00
Specification:P(100) 525um Oxide Layer 100nm
Quantity:1 Piece
Quantité:
♦️Plaquette de silicium de haute qualité pour la recherche et l'expérimentation.
♦️Fourniture de petites quantités, de produits aux spécifications particulières et de services personnalisés.
♦️Livraison dans le monde entier, paiement sécurisé, grand stock.
♦️Délai de livraison minimum sous 1 semaine. Expédié par FedEx, DHL,UPS, etc.
Spécifications de la plaquette de silicium :
  • Taille : 3inch;
  • Méthode : CZ;
  • Type : P;
  • Dopant : B;
  • Orientation :100;
  • Résistivité : 0.01~0.09Ω;
  • Épaisseur : 525um±25;
  • Couche d'oxyde : 300nm(des deux côtés);
  • TTV<10um ;
  • Surface : polie;
  • Face arrière : gravée;
  • Conditionnement : étui pour plaquette de silicium;

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