Silicon wafer 3inch P/N Type 1~10Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate - Soka Technology
Silicon wafer 4inch N Type 10~20Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

Plaquette de silicium 2inch, type P/N 1~10Ω, couche d’oxyde, substrat semi-conducteur

Prix de vente$35.00
Specification:P(100) 525um Oxide Layer 100nm
Quantity:1 Piece
Quantité:
♦️Tranche de silicium de haute qualité pour la recherche et l'expérimentation.
♦️Fourniture de petites quantités, produits aux spécifications particulières et services personnalisés.
♦️Livraison dans le monde entier, paiement sécurisé, large stock.
♦️Délai de livraison minimum sous 1 semaine. Expédié par FedEx, DHL,UPS, etc.
Spécifications de la tranche de silicium :
  • Taille : 2inch;
  • Méthode : CZ;
  • Type : P;
  • Dopant : B;
  • Orientation :100;
  • Résistivité : 1~10Ω;
  • Épaisseur : 525um±25;
  • Couche d'oxyde : 100nm /300nm(les deux côtés);
  • TTV<10um ;
  • Surface : polie;
  • Dos : gravé;
  • Conditionnement : étui pour tranche de silicium;

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