Silicon wafer 6inch P Type(100) Oxide Layer 300nm Semiconductor Substrate - Soka Technology
Silicon wafer 4inch N Type 10~20Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

Silicium wafer 6 pouces type N (100) 0.001~0.005Ω couche d’oxyde substrat semi-conducteur

Prix de vente$49.90
Specification:N(100) 625um Oxide Layer 300nm
Quantity:1 Piece
Quantité:
♦️ Tranche de silicium de haute qualité pour la recherche et l'expérimentation.
♦️ Fourniture de petites quantités, de produits aux spécifications particulières et de services personnalisés.
♦️Livraison dans le monde entier, paiement sécurisé, grand stock.
♦️Délai de livraison minimal sous 1 week. Expédié par FedEx, DHL,UPS, etc.
Spécifications de la tranche de silicium :
  • Taille : 6inch;
  • Méthode : CZ;
  • Type : N;
  • Dopant : As;
  • Orientation : 100;
  • Résistivité : 0.001~0.005Ω·cm;
  • Épaisseur : 600um±25/625um±25;
  • Couche d'oxyde : 280/300/500nm (des deux côtés) ;
  • TTV<15um ;
  • Surface : polie;
  • Dos : gravé;
  • Emballage : boîtier pour tranche de silicium;

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