Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.
Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.

SOKA TECHNOLOGY

Silicium Carbure Substrate 8 pouces Production/Grade factice Type N Wafer 4H SiC IGBT

Prix de vente$2,250.00
Grade:P-mos Grade
Thickness:350um
Quantity:2 Pieces
Quantité:
♦️Plaquette SiC de haute qualité pour la recherche et l’expérimentation.
♦️Fourniture de petites quantités, produits aux spécifications particulières et services personnalisés.
♦️Livraison internationale, paiement sécurisé, important stock disponible.
♦️Délai de livraison minimal dans un délai de 1 week. Expédié par FedEx, DHL,UPS, etc.
Spécifications du substrat SiC :
  • Taille : 8inch;
  • Diamètre : 200mm±0.2;
  • Épaisseur : 500um±25;
  • Orientation de surface : 4 vers [11-20]±0.5°;
  • Orientation de l’encoche : [1-100]±1°;
  • Profondeur de l’encoche : 1±0.25mm;
  • Micropipe : <5cm2;
  • Plaques hexagonales : surface≤5%;
  • Résistivité : 0.014~0.028Ω;
  • EPD : N/A;
  • TED : N/A;
  • BPD : N/A;
  • TSD : N/A;
  • SF:    N/A;
  • TTV≤15um;
  • Warp≤60um;
  • Bow≤40um;
  • Zones polycristallines : ≤5%;
  • Éclats/indentations : Qté : 2≤1mm de largeur et de profondeur;
  • Rayure : longueur cumulée≤1.5 diamètre de la plaquette;
  • Tache : aucune;
  • Bord de la plaquette : chanfreiné;
  • Finition de surface : polissage double face, CMP face Si;
  • Emballage : cassette multi-plaquettes ou conteneur pour plaquette unique;
La différence entre les produits de qualité NG et les produits de qualité Dummy réside principalement dans la zone polycristalline à la surface.
La zone polycristalline des produits de qualité NG est généralement >5%
Les produits NG sont principalement utilisés pour les tests d’équipement et offrent un meilleur rapport qualité-prix

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