Shin-Etsu Chemical's QST Substrate Demand Surges: Paving the Way for Vertical Gallium Nitride Power Devices

Shin-Etsu ChemicalのQST基板需要が急増:垂直型窒化ガリウムパワーデバイスへの道を切り開く

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信越化学工業は、窒化ガリウム結晶の成長に必要な独自のQST(Qromis Substrate Technology)基板に対する堅調な需要を経験しています。この急増は主に次世代パワー半導体の開発加速によるもので、同社は既存の6インチおよび8インチに加え300ミリメートルウェーハのラインナップ拡充に成功し、半導体製造のスケーラビリティにおいて重要な節目を迎えています。
業界の注目は従来のラテラル(横型)パワー素子からバーティカル(縦型)パワー素子アーキテクチャへと移行しつつあります。縦型構造はより高い電圧・電流の取り扱いに不可欠であり、電気自動車や産業用途に適しています。この移行を支援するために、信越化学工業は結晶品質のさらなる向上に注力しています。米国の技術企業QROMISとのライセンス契約の下、同社はこれらの基板の製造・供給に加え、窒化ガリウムのエピタキシャル成長サービスも提供しています。
QST基板の最大の利点はその熱特性にあります。反りやひび割れを引き起こす大きな熱的不整合を抱える既存のシリコン基板とは異なり、QST基板は窒化ガリウムとほぼ一致する熱膨張係数(CTE)を有します。この熱特性の一致により、欠陥のない厚い高品質の窒化ガリウムエピタキシャル層の成長が可能になります。このブレークスルーは、大口径で高電圧の縦型パワー素子を製造する上で特に重要であり、信越化学工業を高効率パワーエレクトロニクス市場における重要な担い手に位置づけています。