Mitsubishi Chemical、窒化ガリウムウェーハのスケールアップを加速：2028年までに8-Inch化を目指す

三菱化学は、高品質な窒化ガリウム（GaN）ウェハの生産・開発を加速させることで、半導体材料分野で大きな前進を遂げています。電気自動車（EV）やデータセンターに牽引される省エネルギー型パワーデバイスの世界的需要が急増する中、同社は結晶成長と加工技術の両面に戦略的に投資し、市場シェアの獲得を目指しています。

戦略ロードマップ：6インチから8インチへ

同社はウェハサイズの拡大という、チップコスト削減と生産効率向上に直結する明確なロードマップを示しています。三菱化学は2026年度中に6インチ窒化ガリウムウェハのサンプル出荷を開始する計画です。さらに、2028年までに8インチウェハの開発を進めるという野心的な目標を掲げています。より大きなウェハに移行することで、1基板当たりのチップ数が増え、大量採用における経済性が飛躍的に向上します。

HVPE技術を活用した高品質化

三菱化学の優位性の核心には、ハライド蒸気相エピタキシー（HVPE）法があります。標準的な生産技術とは異なり、HVPEは厚く高品質な結晶を迅速に成長させることが可能です。現在、同社は2つの主要グレードのウェハを量産しています：

• LDグレード： 面積1cm^2当たり10^5のオーダーの転位密度を特徴とします。

• 低転位LDグレード： 面積1cm^2当たり10^3から10^4の範囲にあるプレミアムクラスです。

これらの低欠陥密度はレーザーダイオード（LD）に不可欠であり、信頼性が最重要となる高電圧パワーデバイスにおいてもますます重要になっています。

パワーデバイス市場への拡大

レーザーダイオード向け供給を維持しつつ、三菱化学はパワーデバイス市場への積極的な拡大を進めています。同社は現在、パワー用途に最適化された4インチ窒化ガリウムウェハのサンプルを出荷しています。これを6インチ、さらに最終的には8インチへとスケールアップすることで、同社は次世代のパワーエレクトロニクスを支援し、従来のシリコンベースのソリューションよりも高い効率と熱性能を提供することを目指しています。