STMicroelectronicsは、ガリウムナイトライド（GaN）事業を拡大し、炭化ケイ素（SiC）生産を8インチ（200ミリメートル）ウェハーへ移行することで、パワー半導体市場におけるリーダーシップを強化するための重要な取り組みを進めています。この戦略的な動きは、電気自動車、人工知能データセンター、再生可能エネルギーシステムにおける高効率パワーエレクトロニクスへの世界的な需要の高まりと合致しています。
この拡大の大きな注目点は、ガリウムナイトライド・オン・シリコン（GaN-on-Si）技術の有力企業であるInnoscienceとの新たな戦略的協業です。2025年4月より、両社はガリウムナイトライド製品を共同で開発・製造します。当初、STMicroelectronicsは中国にあるInnoscienceの先進的な製造施設をファウンドリーとして活用し、ST標準のガリウムナイトライドデバイスを生産します。2027年までに、この提携はイタリアのSTカターニア工場内に専用の共同生産ラインを設けることを目指しています。Innoscienceはすでに8インチのガリウムナイトライド・オン・シリコンウェハーの量産を達成しており、この取り組みに貴重な専門知識をもたらします。
同時に、STMicroelectronicsはカターニア拠点を世界水準の炭化ケイ素キャンパスへと変革しています。この完全な垂直統合型施設では、研究開発や基板生産から前工程のウェハー製造、後工程のモジュール組立まで、すべてを担います。この変革における大きな節目は、6インチ（150ミリメートル）から8インチ（200ミリメートル）の炭化ケイ素ウェハーへの移行であり、生産開始は2025年第4四半期を予定しています。より大きなウェハーへの移行により製造効率が大幅に向上し、コストも削減される見込みで、高性能パワー半導体が大衆向け電気自動車にとってより身近なものになります。
ガリウムナイトライドと炭化ケイ素技術を単一の製造エコシステムに統合することで、STMicroelectronicsはワイドバンドギャップ半導体の包括的なポートフォリオを提供できる位置づけとなります。これらの材料は、従来のシリコンに比べて、より高いスイッチング周波数、低いエネルギー損失、より優れた熱管理など、優れた性能を発揮します。業界が800ボルト（800V）の電気自動車プラットフォームや、より高いエネルギー消費を伴うAIインフラへと移行する中、STのデュアルトラック戦略は、次世代パワーエレクトロニクスの最前線に立ち続けることを確実にします。
