NVIDIAの800V DCアーキテクチャ:窒化ガリウム(GaN)にとっての“テスラ・モーメント”となるか?

日本のロボット需要が2025年第3四半期に17%急増:成長を牽引するのはアメリカ大陸と中国 読む NVIDIAの800V DCアーキテクチャ:窒化ガリウム(GaN)にとっての“テスラ・モーメント”となるか? 1 分 Onsemi、最新のT2PAKシリコンカーバイドMOSFETで電力電子を革新
NVIDIAの800V直流(DC)アーキテクチャ:窒化ガリウム(GaN)の“テスラ・モーメント”になるか? 正文:NVIDIAが最近発表した800ボルト直流電源アーキテクチャは、パワー半導体市場の成長を大幅に加速する可能性があります。業界は特に窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の大規模な採用の可能性に注目しています。アナリストの間では既に比較がなされており、NVIDIAの戦略的な一手が、テスラの採用がシリコンカーバイド(SiC)市場を促進したのと同様に、GaNにとっての「テスラの瞬間」になり得ると示唆されています。
このアーキテクチャは次世代の人工知能(AI)データセンター向けに設計されており、高度な計算負荷の膨大なエネルギー需要を扱うために、ますます高い効率と電力密度が要求されます。800ボルトの直流システムに移行することで、従来の低電圧や交流(AC)システムと比べて電力損失が最小化されます。GaNはワイドバンドギャップ半導体材料であり、この高周波・高効率の環境に理想的に適合します。従来のシリコンベースのデバイスよりも優れたスイッチング性能と低いエネルギー損失を提供し、AIサーバーの電源が要求する厳しい条件に最適です。
フランスの市場調査会社Yole Groupによれば、GaNパワーデバイス市場は大幅に成長し、2030年までに約30億米ドルに達すると予測されており、2024年からの年平均成長率(CAGR)は42パーセントの堅調な伸びを示しています。この成長の中で、通信およびインフラセクターはさらに急速な伸びが見込まれており、同期間でのCAGRは53パーセントと予測されています。NVIDIAの新アーキテクチャにおけるGaNデバイスの採用は、この急速な市場拡大を支える重要な要因として挙げられています。
歴史的に、SiCは電気自動車(EV)でのキラーアプリケーションを見出し、テスラの早期かつ大規模な採用が業界標準を確立しコストを引き下げました。現在、AIデータセンターがGaNの“キラーアプリ”として浮上しています。数千基の高出力GPUと高度な電力供給ネットワークを含むNVIDIAのAIインフラの規模とエネルギー需要は、GaNを主流に押し上げるのに必要なボリュームと標準化を確立する可能性があります。この展開はGaN製造のイノベーションを促進し、製造コストを引き下げ、最終的には消費者向け電子機器、再生可能エネルギー、産業用電源システムへの適用を拡大すると期待されています。この動きは、高性能コンピューティングがエネルギー消費を管理する方法における大きな転換を示しています。