スウェーデンのSweGaNは、SiC上のGaNエピタキシャルウェーハのメーカーであり、QuanFINEエピタキシャルウェーハの受注が2024年前半（1月〜6月）に16,510,308.20 US Dollarに達したと発表しました。これには、通信および防衛市場の主要企業からの3件の大規模枠組契約が含まれます。 その結果、受注量は前年と比べて倍増しました。さらに、同社は半導体デバイスメーカーからQuanFINEエピタキシャルウェーハの顧客認証を取得し、新工場からの出荷を開始しています。QuanFINEは、GaN高電子移動度トランジスタに適したSweGaN独自のSiC上GaNエピタキシャルウェーハです。 従来の構造 業界標準であるFeドープされたGaNエピウェーハ（高電子移動度トランジスタ構造）は、無線基地局や衛星などの通信機器で非常に普及している標準構造です。この構造では、Feアクセプタを含むGaNバッファによりGaNバッファは高抵抗（すなわち漏れ電流が低い）となり、高い電力密度を提供します。
スウェーデンのSweGaNは、SiC上のGaNエピタキシャルウェーハのメーカーであり、QuanFINEエピタキシャルウェーハの受注が2024年前半（1月〜6月）に16,510,308.20 US Dollarに達したと発表しました。これには、通信および防衛市場の主要企業からの3件の大規模枠組契約が含まれます。その結果、受注量は前年と比べて倍増しました。さらに、同社は半導体デバイスメーカーからQuanFINEエピタキシャルウェーハの顧客認証を取得し、新工場からの出荷を開始しています。QuanFINEは、GaN高電子移動度トランジスタに適したSweGaN独自のSiC上GaNエピタキシャルウェーハです。従来の構造業界標準であるFeドープされたGaNエピウェーハ（高電子移動度トランジスタ構造）は、無線基地局や衛星などの通信機器で非常に普及している標準構造です。この構造では、Feアクセプタを含むGaNバッファによりGaNバッファは高抵抗（すなわち漏れ電流が低い）となり、高い電力密度を提供します。
