半導体業界は大きな転換点を迎えています。Novel Crystal Technology は、150ミリメートル（6インチ）のBeta Gallium Oxideウェハーのサンプル出荷を2026年3月から正式に開始すると発表しました。この節目は、現行の100ミリメートル規格から大きく前進するものであり、Beta Gallium Oxide を高出力電子市場における Silicon Carbide と Gallium Nitride に代わる強力な後継候補として位置づけます。
Beta Gallium Oxide は、Silicon Carbide や Gallium Nitride のような従来のワイドバンドギャップ材料と比べて、より優れたバンドギャップ特性を持ちます。この物理特性により、デバイスははるかに高い電圧をより少ないエネルギー損失で扱うことができ、電気自動車用インバーター、再生可能エネルギーの送電網、高電圧の産業用途に最適な候補となります。しかし、商業化への道は、製造コストを下げるためにより大きなウェハー径を実現することに常に依存してきました。
Novel Crystal Technology は、これまで100ミリメートルの生産ラインで完成させていた独自の Edge-defined Film-fed Growth（EFG）法を150ミリメートルまで拡張することに成功しました。同社の野心的なロードマップによれば、150ミリメートルのエピタキシャルウェハーのサンプル出荷は2027年に予定されており、本格的な量産は2029年を目標としています。このスケジュールは、より効率的な電力管理システムへの世界的な需要急増と一致しています。業界が150ミリメートル、そして最終的には200ミリメートル規格へと移行するにつれ、チップ1個あたりのコストは急落すると見込まれ、ついに Beta Gallium Oxide が世界のサプライチェーンにおける Silicon Carbide の優位性に挑むことが可能になると期待されています。
