韓国の半導体大手であるサムスン電子とSK hynixが次世代12層High Bandwidth Memory 4 Extended、HBM4Eとして知られる製品のサンプル出荷を正式に開始し、世界の人工知能メモリ市場における競争は重大な転機を迎えました。この節目は、Nvidia、Advanced Micro Devices、Googleなどの主要な人工知能アクセラレータ設計企業との厳格な顧客認定フェーズの始まりを示し、次世代データセンターおよびハイパースケール・インフラの新たなハードウェア基準を打ち立てるものです。
サムスン電子は、包括的な半導体統合能力を生かして先行優位を確保し、二〇二六年五月二十九日に業界初のサンプル納入を発表しました。サムスンの12層HBM4Eは、業界最先端の第6世代10ナノメートル級Dynamic Random Access Memoryプロセス（one-c）を基盤とし、さらにSamsung Foundryが製造した独自の4ナノメートル・ロジックベースダイを組み合わせています。この統合により、ピン当たり毎秒14ギガビットの安定したデータ転送速度を実現し、最大毎秒16ギガビットまで拡張可能です。このアーキテクチャは、単一スタックあたり最大3.6テラバイト毎秒という驚異的なメモリ帯域幅と、48ギガバイトの個別スタック容量を実現しており、従来世代比で30%増加しています。先進的な低消費電力設計フレームワークと構造的なパッケージ最適化により、サムスンはエネルギー効率を16%向上させ、熱抵抗特性も前世代比で14%以上改善しました。今後、サムスンは多様な顧客の処理ワークロードに合わせ、32ギガバイト8層および64ギガバイト16層の構成を提供することでエコシステムの拡大を目指しています。
同時に、SK hynixも二〇二六年六月十八日に12層HBM4Eサンプルを投入して迅速に応じ、フルスタックの人工知能メモリプロバイダーとしての地位を強化しました。SK hynixの実装は、ピン当たり最大毎秒16ギガビットのデータ処理速度を実現し、前世代比でエネルギー効率を20%以上向上させることで、大規模言語モデルの学習と推論に不可欠なデータ処理スループットを大幅に高めています。高密度・高性能コンピューティングに固有の深刻な熱課題に対処するため、SK hynixは独自のAdvanced Mass Reflow Molded Underfillパッケージング技術を採用しました。この工程では、32ギガビットダイ12層を精密に積層して合計48ギガバイトの容量を構成すると同時に、標準構成と比べて構造的な熱抵抗を17%低減しています。業界レポートによると、SK hynixは3ナノメートル・ファウンドリベースダイでの協業の可能性を含む先進プロセスノードを活用し、4.0テラバイト毎秒級の帯域幅を目標としているとされています。両社が顧客の導入スケジュールに合わせて本格的な量産へと進む中、この激しい技術競争により、世界の人工知能イノベーションを支えるコンピューティング基盤は、かつてない速度、効率、熱安定性の飛躍を遂げることになるでしょう。
