シリコンカーバイド（SiC）ベアウェハーの世界市場は、今後10年で爆発的な成長が見込まれています。富士経済の最新調査によれば、市場規模は2035年に5,724億円に達すると予測され、2025年予測と比べてほぼ3倍の増加となります。この急成長は主に、電力半導体製造においてコスト効率と歩留まりの大幅な改善をもたらす6インチから8インチウェハー技術への急速な移行によって牽引されています。 現時点では6インチのSiCウェハーが生産ラインを支配していますが、その状況は以前の予想よりも速く変化しています。8インチセグメントは2035年に3,700億円に急伸すると見込まれ、2025年比で驚異的な6.7倍の増加となります。この加速は主に中国のメーカーによって推進されており、彼らは約2024年に8インチ基板の量産を開始しました。この早期参入により、世界の有力企業は電気自動車や再生可能エネルギー分野での競争力を維持するために設備拡充を前倒しせざるを得なくなっています。 興味深いことに、SiCの用途は従来のパワーエレクトロニクスの枠を超えて拡大しています。注目すべき節目は2024年に訪れ、Metaが拡張現実（AR）用のゴーグルレンズに半絶縁SiCウェハーを採用したことです。この動きは、同材料の優れた光学特性と高い熱伝導性を示しており、コンシューマーエレクトロニクスやウェアラブル技術分野で新たな収益源を開くことになります。業界の拡大に伴い、8インチ製造の成熟度がSiCパワーモジュールの総コスト削減において決定的な要因となるでしょう。
シリコンカーバイド（SiC）ベアウェハーの世界市場は、今後10年で爆発的な成長が見込まれています。富士経済の最新調査によれば、市場規模は2035年に5,724億円に達すると予測され、2025年予測と比べてほぼ3倍の増加となります。この急成長は主に、電力半導体製造においてコスト効率と歩留まりの大幅な改善をもたらす6インチから8インチウェハー技術への急速な移行によって牽引されています。現時点では6インチのSiCウェハーが生産ラインを支配していますが、その状況は以前の予想よりも速く変化しています。8インチセグメントは2035年に3,700億円に急伸すると見込まれ、2025年比で驚異的な6.7倍の増加となります。この加速は主に中国のメーカーによって推進されており、彼らは約2024年に8インチ基板の量産を開始しました。この早期参入により、世界の有力企業は電気自動車や再生可能エネルギー分野での競争力を維持するために設備拡充を前倒しせざるを得なくなっています。興味深いことに、SiCの用途は従来のパワーエレクトロニクスの枠を超えて拡大しています。注目すべき節目は2024年に訪れ、Metaが拡張現実（AR）用のゴーグルレンズに半絶縁SiCウェハーを採用したことです。この動きは、同材料の優れた光学特性と高い熱伝導性を示しており、コンシューマーエレクトロニクスやウェアラブル技術分野で新たな収益源を開くことになります。業界の拡大に伴い、8インチ製造の成熟度がSiCパワーモジュールの総コスト削減において決定的な要因となるでしょう。
