Samsung Electronicsは半導体戦略において重要な転換を図っています。会長のLee Jae-yongは最近、GiheungおよびHwaseongの研究拠点を訪問し、技術的優位性の確保に対する同社のコミットメントを改めて強調しました。Giheung施設は将来の半導体研究開発の中心拠点に指定されており、Samsungはこの拠点を強化するために2030年までに約20兆ウォンを投資する計画で、積極的なイノベーションを通じて競争力を回復することを目指しています。
この戦略的ロードマップはR&Dをはるかに超えて広がっています。Samsungは2026年に過去最高水準の投資に達すると見込まれています。世界最大の半導体生産拠点である平澤（Pyeongtaek）コンプレックスの第5フェーズには、2028年までに膨大な60兆ウォンが投入されます。さらに、雄仁（Yongin）半導体クラスター構想では、2031年までに6つの新しいファブを建設するために驚異的な360兆ウォンの投資が行われる予定です。この動きは、競合が激化しているハイバンド幅メモリ市場での主導権回復に向けた反撃と広く見なされています。高度なリソグラフィー技術や次世代パッケージング技術を統合することで、Samsungはグローバルな人工知能チップ供給網の基盤としての地位を確固たるものにすることを目指しています。
