パッケージ入りの4インチPG GaNサファイアウェハー上ガリウムナイトライド半導体基板
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2枚の丸いウェハーが写った、4インチPG GaNガリウムナイトライド半導体基板、サファイア上GaNウェハー

SOKA TECHNOLOGY

サファイア基板上GaNウエハー 2inch PG GaN 窒化ガリウム半導体基板

セール価格$4,675.00
サイズ:2inch
数量:5個
数量:
♦️研究および実験向けの高品質GaNウェハー。
♦️少量対応、特殊仕様製品、カスタマイズサービスをご提供します
♦️グローバル配送、安全な支払い、大量在庫
♦️最短1週間以内の納品。FedEx、DHL、UPSなどで発送します。
サファイア上GaN仕様:
  • 基板:サファイア;
  • 直径:50.8+0.1mm ;
  • 方位:C面 0.2 +0.1°、M面に対して;
  • 厚さ:430+15um ;
  • オリエンテーションフラット:A面 10.25° ;
  • OF長さ:16+1 mm;
  • 表面:CMP Ra ≤ 0.2nm;
  • 裏面:ラッピング(Ra: 0.6 ~ 1.2um);
  • TTV:≤10um;
  • Bow:-10~0um;
  • Warp:≤ 10um ;
  • レーザーマーク:あり;
  • エピウェハー構造
  • Layer 2:N-GaN 2~3um;
  • Layer 1:Buffer 2~3um;
  • Layer 0:Substrate;
  • エピタキシー特性
  • 総エピタキシー厚さ:5~6um;
  • 厚さStd<3% ;
  • XRD GaN (002):≤100 arcsec;
  • XRD GaN (102)≤100 arcsec ;
  • 転位密度:~ 1e7 cm-2;
  • 導電性:N型;
  • 抵抗率:≤0.1 (ohm-cm);
  • 表面粗さ:Ra ≤ 0.5 nm;
  • Sori≤ 90 um;
この新しいGaN-on-Sapphire基板のGaN結晶品質は、GaN基板と同等レベルです。
現在、PQGaNは基板として使用できる高品質な単層GaN材料です。お客様はその上にGaN構造を成長させることができます。
さらに、必要に応じて、お客様指定のGaN拡張構造をPQGaN基板上に代行製造することも可能です。

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口座名義: Soka Technology Ltd

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