Silicon Carbide Substrate 6inch 4H N Type Production/Dummy Grade SiC Wafer IGBT - Soka Technology
Silicon Carbide Substrate 6inch 8inch NG Grade N Type 4H SiC Wafer IGBT - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

炭化ケイ素基板 4インチNG グレード半絶縁 4H SiC ウェハー IGBT

セール価格$765.00
Size:4inch
アイテム数:10 アイテム
数量:
♦️研究・実験用の高品質 SiC ウェハー。
♦️少量生産、特殊仕様製品、カスタマイズサービスもご提供いたします
♦️世界中への発送、安全な支払い、豊富な在庫
♦️最短1週間以内に配達されます。FedEx、DHL、UPSなどで発送されます。
SiC基板仕様:
  • サイズ: 4インチ;
  • 直径:100.8mm±0.5;
  • 厚さ: 500 um±25;
  • 表面方位: <0001>±0.2°;
  • 一次平面方向:[11-20]±5°;
  • 二次平面の向き: シリコン面を上にして90°CW。一次平面から±5°。
  • マイクロパイプ: N/A;
  • 抵抗率: N/A;
  • TTV≤10um;
  • 反り≤45um;
  • 弓≤≤30um;
  • 表面粗さ:Si面Ra≤0.5nm
  • ひび割れ:なし
  • ウェーハエッジ:面取り
  • 表面仕上げ:両面研磨、Si面CMP。
  • 梱包: マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ。


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