Silicon Carbide Substrate 6inch ProductionDummy Grade 4H Semi-insulating SiC Wafer IGBT spheres illustration.

SOKA TECHNOLOGY

シリコンカーバイド基板 6inch 4H N型 量産/ダミーグレード SiCウェーハ IGBT

セール価格$2,100.00
グレード:P-sbd グレード
数量:5個
数量:
♦️研究・実験用高品質SiCウェーハ。
♦️少量から対応、特殊仕様製品およびカスタマイズサービスを提供
♦️国際配送、安心決済、大量在庫.
♦️最短納期1週間以内。FedEx、DHL、UPS等で発送。
SiC基板仕様:
  • サイズ: 6inch;
  • 直径: 150mm±0.25;
  • 厚さ: 350um±25;
  • 表面方位: 4°toward[11-20]±5°;
  • 主要フラット方位:[11-20]±5°;
  • 主要フラット長さ:47.5mm±1.5;
  • 副フラット: なし;
  • マイクロパイプ: ≤10/cm2;
  • 抵抗率: 0.015~0.028Ω;
  • TTV≤10um;
  • ワープ≤55um;
  • ボウ≤45um;
  • 表面粗さ: Si面 Ra<0.5 nm;
  • クラック: なし;
  • 粗さ: なし;
  • エッジチップ: ≤2、各々の長さおよび幅<1mm;
  • 表面仕上げ: 両面研磨、Si面CMP;
  • 梱包: マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ;

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