sic substrate  6 Inch Product Grade
炭化ケイ素基板 6インチ ダミーグレード 4H N型 SiCウェハー IGBT
sic substrate  6 Inch Product Grade

SOKA TECHNOLOGY

炭化ケイ素基板 6インチ ダミーグレード 4H N型 SiCウェハー IGBT

セール価格$755.00 USD
Grade:Production Grade
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♦️研究および実験用の高品質SiCウェーハ。
♦️少量、特殊仕様品、カスタマイズサービスを提供します
SiC基板仕様:
  • サイズ: 6インチ。
  • 直径: 150mm±0.25;
  • 厚さ: 350um±25;
  • 面方向: [11-20] に向かって 4°±5°。
  • プライマリフラット方向:[11-20]±5°;
  • 一次平坦長さ:47.5mm±1.5;
  • 二次フラット: なし。
  • マイクロパイプ: ≤10/cm2;
  • 抵抗率: 0.015~0.028Ω;
  • TTV≤10um;
  • 反り≤55um;
  • 弓≤45um;
  • 表面粗さ:Si面Ra<0.5nm、
  • 亀裂: なし。
  • 粗さ:なし。
  • エッジチップ: ≤2、それぞれの長さと幅が1mm未満。
  • 表面仕上げ: 両面研磨、Si フェイス CMP;
  • パッキング: マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ;

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