Silicon Carbide Substrate 6inch 4H N Type Production/Dummy Grade SiC Wafer IGBT - Soka Technology
Silicon Carbide Substrate 6inch 4H N Type Production/Dummy Grade SiC Wafer IGBT - Soka Technology
Silicon Carbide Substrate 6inch 4H N Type Production/Dummy Grade SiC Wafer IGBT - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

シリコンカーバイド基板 6インチ プロダクション/ダミーグレード 4H N型 SiCウェハーIGBT

セール価格$755.00 USD
グレード:Production Grade
アイテム数:1 アイテム
数量:
♦️研究・実験用の高品質 SiC ウェハー。
♦️少量生産、特殊仕様製品、カスタマイズサービスもご提供いたします
♦️世界中への発送、安全な支払い、豊富な在庫
♦️最短1週間以内に配達されます。FedEx、DHL、UPSなどで発送されます。
SiC基板仕様:
  • サイズ: 6インチ;
  • 直径:150mm±0.25;
  • 厚さ:350um±25;
  • 表面方位:4°から[11-20]±5°;
  • プライマリフラット方向:[11-20]±5°;
  • プライマリフラット長さ:47.5mm±1.5;
  • セカンダリフラット: なし;
  • マイクロパイプ:≤10/cm2;
  • 抵抗率:0.015〜0.028Ω;
  • TTV≤10um;
  • 反り≤55um;
  • 弓形≤45um;
  • 表面粗さ:Si面Ra<0.5nm
  • ひび割れ:なし
  • 粗さ: なし
  • エッジチップ:≤2、それぞれの長さと幅は<1mm。
  • 表面仕上げ:両面研磨、Si面CMP。
  • 梱包: マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ。

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