sic substrate  6 Inch Product Grade
炭化ケイ素基板 6 インチ NG グレード N タイプ 4H SiC ウェハー IGBT
sic substrate  6 Inch Product Grade

SOKA TECHNOLOGY

炭化ケイ素基板 6 インチ NG グレード N タイプ 4H SiC ウェハー IGBT

セール価格$2,250.00 USD
アイテムの数:10 アイテム
数量:
♦️研究および実験用の高品質SiCウェーハ。
♦️少量、特殊仕様品、カスタマイズサービスを提供します
SiC基板仕様:
  • サイズ: 6インチ。
  • 直径: 150mm±0.2;
  • 厚さ:350μm±25;
  • 面方向: [11-20] に向かって 4°±5°。
  • 一次平面方向:[11-20]±5°;
  • 二次フラット方向: なし;
  • マイクロパイプ: なし。
  • 抵抗率: なし。
  • TTV≤10um;
  • 反り≤60um;
  • 弓≤40um;
  • 表面粗さ:Si面Ra≤0.5nm。
  • 亀裂: なし。
  • ウェーハエッジ: 面取り;
  • 表面仕上げ: 両面研磨、Si フェイス CMP;
  • パッキング: マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ;


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