Silicon Carbide Substrate 6inch 8inch NG Grade N Type 4H SiC Wafer IGBT - Soka Technology
Silicon Carbide Substrate 6inch 8inch NG Grade N Type 4H SiC Wafer IGBT - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

炭化ケイ素基板 6インチ 8インチNG グレード Nタイプ4H SiC ウェハー IGBT

セール価格$975.00 USD
サイズ:25 アイテム
アイテム数:10 アイテム
数量:
♦️研究・実験用の高品質 SiC ウェハー。
♦️少量生産、特殊仕様製品、カスタマイズサービスもご提供いたします
♦️世界中への発送、安全な支払い、豊富な在庫
♦️最短1週間以内に配達されます。FedEx、DHL、UPSなどで発送されます。
SiC基板仕様:
  • サイズ: 6インチ;
  • 直径:150mm±0.2;
  • 厚さ: 350 um±25;
  • 表面方位:4°から[11-20]±5°;
  • 一次平面方向:[11-20]±5°;
  • 二次平面方向: なし;
  • マイクロパイプ: なし;
  • 抵抗率: なし;
  • TTV≤10um;
  • 反り≤60um;
  • 弓形≤40um;
  • 表面粗さ:Si面Ra≤0.5nm
  • ひび割れ:なし
  • ウェーハエッジ:面取り
  • 表面仕上げ:両面研磨、Si面CMP。
  • 梱包: マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ。


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