GaN/サファイアウェハー 4インチ P型GaN 窒化ガリウム半導体基板、各種ウェハーサイズを表示。
透明ホルダー上の4インチP型GaNサファイア基板。窒化ガリウム半導体基板。

SOKA TECHNOLOGY

サファイア基板上GaN 4インチ P型GaN 窒化ガリウム半導体基板

セール価格$4,200.00
サイズ:4インチ
数量:6個
数量:
♦️研究・実験向けの高品質GaNウエハー。
♦️少量対応、特殊仕様製品、カスタムサービスを提供します
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サファイア基板上GaN仕様:
  • サイズ:2inch ;
  • Mgドープ;
  • 直径:50.8 mm±0.3 mm ;
  • 厚さ/厚さSTD:4.5 ± 0.5 μm / < 3% ;
  • GaNの配向:C面(0001)A軸方向へのオフ角 0.2 ± 0.1°;
  • GaNのオリエンテーションフラット:(1-100) 0 ± 0.2°、16 ± 1 mm;
  • 導電型:P型;
  • 抵抗率(300K):< 10 Ω·cm;
  • キャリア濃度:> 1 x 1017 cm -3(p+GaNのドーピング濃度 ≥ 5 x 1019 cm -3);
  • 移動度:> 5cm2/V·s ;
  • 構造:~ 0.5 μm p+GaN/~ 1.5 μm p-GaN /~ 2.5 μm uGaN /~ 25 nm uGaN バッファー/430 ±25 μm サファイア;
  • XRD FWHM:(0002)<300 arcsec,(10-12)<400 arcsec;
  • サファイアの配向:C面(0001)M軸方向へのオフ角 0.2 ± 0.1°;
  • サファイアのオリエンテーションフラット:(11-20) 0 ± 0.2°、16 ± 1 mm ;
  • サファイア研磨:片面研磨(SSP)/両面研磨(DSP);
  • 有効面積:> 90%(エッジおよびマクロ欠陥を除く);
  • ウエハーケース;



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