パッケージ入りの4インチPG GaNサファイアウェハー上ガリウムナイトライド半導体基板
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2枚の丸いウェハーが写った、4インチPG GaNガリウムナイトライド半導体基板、サファイア上GaNウェハー

SOKA TECHNOLOGY

サファイア基板上GaNウエハー 4インチ PG GaN 窒化ガリウム 半導体基板

セール価格$7,125.00
サイズ:4インチ
数量:3個
数量:
5♦️研究・実験用の高品質GaNウェハー。
♦️少量、特別仕様製品、およびカスタマイズサービスに対応.
♦️グローバル配送、安全な支払い、大量在庫.
♦️最短納期は1週間以内。FedEx、DHL、UPSなどで発送します。
サファイア基板上GaN仕様:
  • 基板: サファイア ;
  • 直径: 100±0.5mm ;
  • 方位: C面 0.2±0.1° ~ M面;
  • 厚さ: 750±25um ;
  • オリエンテーションフラット:A面 ±0.3° ;
  • OF長さ: 30±1mm;
  • 表面: Epi-ready Ra ≤0.5nm (typical);
  • 裏面: Epi-ready Ra ≤0.5nm (typical);
  • TTV: ≤10um;
  • Bow:-10~10um;
  • Warp: ≤ 15um ;
  • レーザーマーク: あり;
  • Epiwafer構造
  • Layer 2:N-GaN 2~3um;
  • Layer 1:Buffer 2~3um;
  • Layer 0: 基板;
  • エピタキシャル特性
  • 総エピタキシャル厚さ:5~6um;
  • 厚さ標準偏差<3% ;
  • XRD GaN (002): ≤100 arcsec;
  • XRD GaN (102)≤100 arcsec ;
  • 転位密度 :~ 1e7 cm-2;
  • 導電性:N-type;
  • 抵抗率:≤0.1 (ohm-cm);
  • 表面粗さ:Ra ≤ 1.0 nm;
  • Sori≤ 120 um;
この新しいGaN-on-Sapphire基板のGaN結晶品質とGaN基板は、同等レベルです。
現在、PQGaNは基板として使用できる高品質の単層GaN材料です。お客様はその上にGaN構造を成長させることができます。
さらに、ご要望に応じて、PQGaN基板上にお客様指定のGaN拡張構造を当社が代行して製造することも可能です。

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