炭化ケイ素 EPI 基板 6インチエピーProductionグレードSiCウェハー IGBT
sic substrate  6 Inch Product Grade
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SOKA TECHNOLOGY

炭化ケイ素 EPI 基板 6インチエピーProductionグレードSiCウェハー IGBT

セール価格$1,990.00 USD
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♦️研究および実験用の高品質SiCウェーハ。
♦️少量、特殊仕様品、カスタマイズサービスを提供します
SiC基板仕様:
  • サイズ: 6インチ。
  • 直径: 150mm±0.5;
  • 厚さ:350μm±25;
  • タイプ:軸外: N タイプ;
  • プライマリフラット位置:<1120>+/-5 度
  • エピ表面検査
  • 表面ピット (サイズ > 0.2um): ≦ 5000 個

  • 表面欠陥 (サイズ > 10um): ≦ 1 ea/cm-2;

  • BPD カウント:≦ 20 ea

  • ダイ歩留まり (2*2mm、EE 5mm): ≧ 95%;

  • バッファ層

  • ターゲット厚さ (平均):0.5um±10%;

  • ターゲットドーピング濃度 (平均):;1.0E18/cm3 ±10%;

  • ドリフトレイヤー

  • ターゲット厚さ (平均):10um ±6%;

  • ターゲットドーピング濃度 (平均):8.5E15/cm3 ±10%;

  • ウェーハエッジ: 面取り;
  • 表面仕上げ: 両面研磨、Si フェイス CMP;
  • パッキング: マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ;


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