Neuigkeiten
BYD dominiert 2025 den globalen Markt für Elektrofahrzeuge, während chinesische Hersteller die Top Ten anführen
BYDs Dominanz auf dem Markt für Elektrofahrzeuge 2025 unterstreicht die historischen Erfolge von BYD im Automobilsektor und zeigt den Aufstieg chinesischer Hersteller.
Zweigleisiges Wachstum: Die auseinanderlaufende Entwicklung der Märkte für fortschrittliche und herkömmliche Siliziumwafer im Jahr 2025
Die Markttrends für Siliziumwafer 2025 sind von erheblichen Verschiebungen zwischen fortschrittlichen und etablierten Märkten geprägt, was Produktions- und Preisstrategien beeinflusst.
JX Metals verdreifacht die Produktion von Indiumphosphid-Substraten, um die generative KI-Revolution anzutreiben
Die Herstellung von Indiumphosphid-Substraten durch JX Metals konzentriert sich auf die Erweiterung der Produktionskapazität, um den Anforderungen der KI-Revolution gerecht zu werden.
ROHM sichert sich Gallium-Nitrid-Unabhängigkeit durch TSMC-Technologielizenz
Die Gallium-Nitrid-Leistungshalbleitertechnologie steht im Mittelpunkt von ROHMs neuem Lizenzabkommen mit TSMC. Mit diesem strategischen Schritt soll die Eigenfertigung abgesichert werden.
Chinas Importe von Halbleiterausrüstung erreichen 2025 Rekordwert von 34,7 Milliarden US-Dollar
Chinas Importe von Halbleiterausrüstung haben 2025 einen neuen Rekord aufgestellt und unterstreichen die strategischen Bemühungen des Landes in Technologie und Infrastruktur.
STMicroelectronics erweitert Präsenz bei Galliumnitrid und stellt Siliziumkarbid auf 8-Zoll-Wafer um
Die Expansion von Gallium-Nitrid-Halbleitern ist entscheidend für die Führungsrolle von STMicroelectronics im Bereich Leistungshalbleiter. Das Unternehmen konzentriert sich auf die Verbesserung von...
Samsung Semiconductor erreicht Rekordhöhen: HBM-Umsätze sollen sich bis 2026 verdreifachen
Das Umsatzwachstum von Samsungs Halbleiter-HBM-Verkäufen dürfte sich bis 2026 verdreifachen, da das Unternehmen Rekordumsätze und -gewinne meldet.
Toshiba stellt Gate-Driver-Technologie der nächsten Generation vor: Senkung der Schaltverluste bei Siliziumkarbid um 28 Prozent
Die nächste Generation der Gate-Driver-Technologie von Toshiba reduziert die Schaltverluste um 28 %. Diese Innovation steigert die Effizienz in der Leistungselektronik.
TSMC rüstet Kumamoto Fab 2 auf 3-Nanometer-Prozess um, um die weltweite Nachfrage nach künstlicher Intelligenz zu decken
Die Halbleiterfertigung mit 3 Nanometern wird voraussichtlich TSMCs Fähigkeiten in Japan stärken und die Anforderungen von KI adressieren.
