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Siliziumkarbid-Substrat 3C/6H/ Dummy-Qualität SiC-Wafer, hochwertige SiC-Wafer für die Forschung. Siliziumkarbid-Substratwafer in einem transparenten Behälter, der seine hochwertige Oberfläche für Forschungsanwendungen präsentiert.
Three grünlich-gelbe Kugeln unterschiedlicher Größe, dreieckig auf weißem Hintergrund angeordnet. Siliziumkarbid-Substratwafer in einem transparenten Behälter, der seine hochwertige Oberfläche für Forschungsanwendungen präsentiert.
Three grünlich-gelbe Kugeln unterschiedlicher Größe, dreieckig auf weißem Hintergrund angeordnet. Siliziumkarbid-Substratwafer in einem transparenten Behälter, der seine hochwertige Oberfläche für Forschungsanwendungen präsentiert.
Hochreine Keramiklagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4), G5 - Soka Technology Hochreine Keramiklagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4), G5 - Soka Technology
Hochreine Keramiklagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4), G5 - Soka Technology Hochreine Keramiklagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4), G5 - Soka Technology
Hochreine Keramiklagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4), G5 - Soka Technology Hochreine Keramiklagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4), G5 - Soka Technology
Hochreine Keramiklagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4), G5 - Soka Technology Hochreine Keramiklagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4), G5 - Soka Technology
Wärmeleitendes Siliziumnitrid-Si3N4-Keramiksubstrat – Soka Technology Silicon Nitride Thermal Conductive Si3N4 Heat Sink Ceramics Substrate
Thermosubstrat aus Siliziumnitrid, SiN-IGBT-Kühlkörper mit Kupferkaschierung, übereinander gestapelt. Wärmesubstrat aus Siliziumnitrid SiN IGBT-Kühlkörper mit Kupferbeschichtung, aus hochwertigem leitfähigem Material.
Siliziumwafer 12 Zoll P-Typ 1 - 100Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology Siliziumwafer 12 Zoll P-Typ 1 - 100Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology
Siliziumwafer 12 Zoll P-Typ 1 - 100Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology Siliziumwafer 12 Zoll P-Typ 1 - 100Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology
Siliziumwafer 12 Zoll doppelseitig poliert, wiederaufbereitetes Substrat - Soka Technology
Siliciumwafer 8inch P/N Typ(100) 1-100Ω einseitig/doppelt poliert, Dummy-Grade, wiederaufbereiteter Substrat im Lagerbehälter. Siliziumwafer 12 Zoll P-Typ 1~100Ω doppelseitig poliert, Testqualität, Halbleitersubstrat - Soka Technology
12-Zoll-Siliziumwafer P-Typ 1 - 100Ω Halbleitersubstrat mit Aluminium-/Kupferschicht - Soka Technology
Siliziumwafer 18 Zoll, beidseitig poliert, P100, 1~50Ω - Soka Technology Siliziumwafer 18 Zoll, beidseitig poliert, P100, 1~50Ω - Soka Technology
Silicon wafer 1inch P/N Type(100/111)  Single/Double Side Polished Semiconductor Substrate
4-Zoll-Siliziumwafer, P-Typ (100) mit SiN auf SiO₂-Substrat in Aufbewahrungsbehältern, aus hochwertigen Materialien. Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 10~20Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology
Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100/111), ein- oder doppelseitig polierter Halbleitersubstrat in Schutzverpackung. Siliziumwafer 3inch P-Typ (100/111) einseitig/beidseitig polierter Halbleiter-Substrat - Soka Technology
Silikonwafer 4-Zoll FZ N-Typ (111) 50~70Ω einseitig polierter Substrat - Soka Technology Siliziumwafer 4inch P/N Typ (100) 1~5Ω in Schutzbehälter verpackt für Halbleiterforschung.
Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100/111), ein- oder doppelseitig polierter Halbleitersubstrat in Schutzverpackung. Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100/111), ein- oder doppelseitig polierter Halbleitersubstrat in Schutzverpackung.
Siliziumwafer 3 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 10~20Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology
Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100/111), ein- oder doppelseitig polierter Halbleitersubstrat in Schutzverpackung. Siliziumwafer 3inch P-Typ (100/111) einseitig/beidseitig polierter Halbleiter-Substrat - Soka Technology
Siliziumwafer 3 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology Siliziumwafer 4inch P-Typ (100) SiN auf SiO₂-Substrat – hochwertiges Forschungsmaterial.
Siliziumwafer 3 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 10~20Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology