SCREEN Semiconductor Solutionsは、次世代の極端紫外線（EUV）リソグラフィ向けに特化した洗浄プロセスを開発するため、IBMとの契約を拡大したと発表しました。2022年11月に開始した共同開発の取り組みを基盤に、この拡大された契約は、2nmプロセスノード以降の製造に不可欠とされる高開口数（High-NA）EUVに関連する重要課題の解決を大幅に加速することを目的としています。 High-NA EUVへの移行により、洗浄プロセスの重要性は飛躍的に高まります。それまで無視できた微細な汚染物質や微小欠陥が、露光工程に重大な影響を及ぼす可能性が出てきます。この感度の向上は、ウェハの完全な洗浄がこの高度なリソグラフィ技術の成功にとって極めて重要であることを意味します。 SCREENは、本共同開発で得られる課題や知見を活用して、自社の独自洗浄プロセスと装置を改良することを目指しています。最終的な目標は、この重要なフィードバックを次世代洗浄ツールの開発にシームレスに取り込み、最先端の半導体製造プロセスが要求する厳格な要件を満たすことです。本パートナーシップは、物理的限界を克服し半導体技術の未来を実現しようとする業界の継続的な取り組みを浮き彫りにしています。
SCREEN Semiconductor Solutionsは、次世代の極端紫外線（EUV）リソグラフィ向けに特化した洗浄プロセスを開発するため、IBMとの契約を拡大したと発表しました。2022年11月に開始した共同開発の取り組みを基盤に、この拡大された契約は、2nmプロセスノード以降の製造に不可欠とされる高開口数（High-NA）EUVに関連する重要課題の解決を大幅に加速することを目的としています。High-NA EUVへの移行により、洗浄プロセスの重要性は飛躍的に高まります。それまで無視できた微細な汚染物質や微小欠陥が、露光工程に重大な影響を及ぼす可能性が出てきます。この感度の向上は、ウェハの完全な洗浄がこの高度なリソグラフィ技術の成功にとって極めて重要であることを意味します。SCREENは、本共同開発で得られる課題や知見を活用して、自社の独自洗浄プロセスと装置を改良することを目指しています。最終的な目標は、この重要なフィードバックを次世代洗浄ツールの開発にシームレスに取り込み、最先端の半導体製造プロセスが要求する厳格な要件を満たすことです。本パートナーシップは、物理的限界を克服し半導体技術の未来を実現しようとする業界の継続的な取り組みを浮き彫りにしています。
