X-FABは、アナログ/ミックスシグナルおよび特殊プロセスに特化した主要なファウンドリとして、ドイツ・ドレスデンの最先端8インチ製造拠点において、dMode（デプレッションモード）デバイス向けのGallium Nitride-on-Silicon（GaN-on-Si）技術サービスを導入し、ワイドバンドギャップ（WBG）材料のポートフォリオを大幅に強化しました。この戦略的な展開により、X-FABはSilicon Carbide（SiC）やGallium Nitrideを含むWBG材料に特化したピュアプレイ・ファウンドリとしての地位を確固たるものにしています。 Gallium Nitride-on-Siliconの統合は、GaNデバイスのコスト削減において画期的です。高価な特殊基板の代わりに成熟した大口径シリコン基板を活用することで、シリコン産業に内在するスケールメリットを引き出しています。これにより、より広範な高電力・高周波用途において技術の採用が容易になり、全体の生産コストを低減します。さらに、Gallium Nitride-on-Silicon技術は高周波スイッチング能力とオン状態における低い$R_{\text{DS(on)}}$（ドレインとソース間の抵抗）を提供し、省エネルギー性能の向上に重要な役割を果たします。 この新たな能力により、X-FABは顧客が電力網、車載バッテリシステム、またはGPUのような高性能コンピューティング部品といった特定の省エネルギーソリューションに最も適したWBG材料を選択できる点で差別化されます。Gallium Nitride-on-Siliconは、一般に650ボルト未満の低電圧用途（消費者向け高速充電器や電源など）に特に適しており、高速スイッチングとSilicon Carbideに対するコスト優位性が顕著です。GaNとSiCの両方を含む広範なWBG市場は、電気自動車の急速な普及や省エネルギー電子機器に対する世界的な需要の高まりにより堅調な成長が見込まれています。X-FABの8インチプラットフォームによる今回の取り組みは、次世代の電力管理・変換製品を商用化しようとする顧客に対して、安定したサプライチェーンとスケーラビリティを提供します。
X-FABは、アナログ/ミックスシグナルおよび特殊プロセスに特化した主要なファウンドリとして、ドイツ・ドレスデンの最先端8インチ製造拠点において、dMode（デプレッションモード）デバイス向けのGallium Nitride-on-Silicon（GaN-on-Si）技術サービスを導入し、ワイドバンドギャップ（WBG）材料のポートフォリオを大幅に強化しました。この戦略的な展開により、X-FABはSilicon Carbide（SiC）やGallium Nitrideを含むWBG材料に特化したピュアプレイ・ファウンドリとしての地位を確固たるものにしています。Gallium Nitride-on-Siliconの統合は、GaNデバイスのコスト削減において画期的です。高価な特殊基板の代わりに成熟した大口径シリコン基板を活用することで、シリコン産業に内在するスケールメリットを引き出しています。これにより、より広範な高電力・高周波用途において技術の採用が容易になり、全体の生産コストを低減します。さらに、Gallium Nitride-on-Silicon技術は高周波スイッチング能力とオン状態における低い$R_{\text{DS(on)}}$（ドレインとソース間の抵抗）を提供し、省エネルギー性能の向上に重要な役割を果たします。この新たな能力により、X-FABは顧客が電力網、車載バッテリシステム、またはGPUのような高性能コンピューティング部品といった特定の省エネルギーソリューションに最も適したWBG材料を選択できる点で差別化されます。Gallium Nitride-on-Siliconは、一般に650ボルト未満の低電圧用途（消費者向け高速充電器や電源など）に特に適しており、高速スイッチングとSilicon Carbideに対するコスト優位性が顕著です。GaNとSiCの両方を含む広範なWBG市場は、電気自動車の急速な普及や省エネルギー電子機器に対する世界的な需要の高まりにより堅調な成長が見込まれています。X-FABの8インチプラットフォームによる今回の取り組みは、次世代の電力管理・変換製品を商用化しようとする顧客に対して、安定したサプライチェーンとスケーラビリティを提供します。
