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Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N Type Production / Dummy Grade Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N Type Production / Dummy Grade
Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N Type Production / Dummy Grade
$319.00 USD より
Silicon Carbide SiC Ingot 8inch N Type Production / Dummy Grade Silicon Carbide SiC Ingot 8inch N Type Production / Dummy Grade
Silicon Carbide SiC Ingot 8inch N Type Production / Dummy Grade
$2,469.00 USD より
sic substrate 6 Inch Product Grade 炭化ケイ素基板 4 インチ NG グレード半絶縁 4H SiC ウェハー IGBT
炭化ケイ素基板 4 インチ NG グレード半絶縁 4H SiC ウェハー IGBT
$1,390.00 USD より
sic substrate 6 Inch Product Grade 炭化ケイ素基板 6 インチ NG グレード N タイプ 4H SiC ウェハー IGBT
炭化ケイ素基板 6 インチ NG グレード N タイプ 4H SiC ウェハー IGBT
$2,250.00 USD より
sic substrate 6 Inch Product Grade 炭化ケイ素基板 6インチ ダミーグレード 4H N型 SiCウェハー IGBT
炭化ケイ素基板 6インチ ダミーグレード 4H N型 SiCウェハー IGBT
$295.00 USD より
sic substrate 6 Inch Product Grade 炭化ケイ素基板 8インチ ダミーグレードNタイプ 4H SiCウェハー IGBT
炭化ケイ素基板 8インチ ダミーグレードNタイプ 4H SiCウェハー IGBT
$1,295.00 USD より
窒化ケイ素（Si3N4）G5グレードの高純度セラミックボール 窒化ケイ素（Si3N4）G5グレードの高純度セラミックボール
窒化ケイ素（Si3N4）G5グレードの高純度セラミックボール
$105.00 USD より
窒化ケイ素（Si3N4）G5グレードの高純度セラミックボール 窒化ケイ素（Si3N4）G5グレードの高純度セラミックボール
窒化ケイ素（Si3N4）G5グレードの高純度セラミックボール
$120.00 USD より
窒化ケイ素（Si3N4）G3グレード高純度日本製セラミックボール 窒化ケイ素（Si3N4）G3グレード高純度日本製セラミックボール
窒化ケイ素（Si3N4）G3グレード高純度日本製セラミックボール
$98.00 USD より
窒化ケイ素（Si3N4）G5グレードの高純度セラミックボール 窒化ケイ素（Si3N4）G5グレードの高純度セラミックボール
窒化ケイ素（Si3N4）G5グレードの高純度セラミックボール
$27.00 USD より
窒化ケイ素熱伝導基板 窒化ケイ素熱伝導基板
窒化ケイ素熱伝導基板
$49.00 USD より
シリコンウェーハ 12インチ 両面ポリッシュ P100 1~100Ω ダミーグレード シリコンウェーハ 12インチ 両面ポリッシュ P100 1~100Ω ダミーグレード
シリコンウェーハ 12インチ 両面ポリッシュ P100 1~100Ω ダミーグレード
$355.00 USD より
シリコンウェーハ 12 インチ P タイプ 1-100Ω 酸化層半導体基板 シリコンウェーハ 12 インチ P タイプ 1-100Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 12 インチ P タイプ 1-100Ω 酸化層半導体基板
$1,890.00 USD より
シリコンウェーハ 12 インチ P タイプ 1-100Ω 酸化層半導体基板 シリコンウェーハ 12 インチ P タイプ 1-100Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 12 インチ P タイプ 1-100Ω 酸化層半導体基板
$3,290.00 USD より
シリコンウエハ 12インチ P型 1~100Ω 両面研磨 防塵 シリコンウエハ 12インチ P型 1~100Ω 両面研磨 防塵
シリコンウエハ 12インチ P型 1~100Ω 両面研磨 防塵
$1,050.00 USD
シリコンウエハ 18インチ 両面ポリッシュ P110 1~50Ω silicon Wafer Semiconductor 18 Inch
シリコンウエハ 18インチ 両面ポリッシュ P110 1~50Ω
$1,290.00 USD
シリコンウェーハ 2インチ FZ Nタイプ(100) 5000~10000Ω 片面研磨 シリコンウェーハ 2インチ FZ Nタイプ(100) 5000~10000Ω 片面研磨
シリコンウェーハ 2インチ FZ Nタイプ(100) 5000~10000Ω 片面研磨
$26.90 USD より
シリコンウェーハ 2インチ N型 0.01~0.02Ω 酸化層半導体基板 シリコンウェーハ 2インチ N型 0.01~0.02Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 2インチ N型 0.01~0.02Ω 酸化層半導体基板
$26.90 USD より
シリコンウェーハ 2 インチ P/N タイプ 0.005~0.009Ω 酸化層半導体基板 シリコンウェーハ 2 インチ P/N タイプ 0.005~0.009Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 2 インチ P/N タイプ 0.005~0.009Ω 酸化層半導体基板
$26.90 USD より
シリコンウェハー 2インチ P-Type(100) 0.01~0.05Ω SSP/DSP 半導体基板 シリコンウェハー 2インチ P-Type(100) 0.01~0.05Ω SSP/DSP 半導体基板
シリコンウェハー 2インチ P-Type(100) 0.01~0.05Ω SSP/DSP 半導体基板
$16.90 USD より
シリコンウェハ 2インチ P型 10~20Ω 酸化層半導体基板 シリコンウェハ 2インチ P型 10~20Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェハ 2インチ P型 10~20Ω 酸化層半導体基板
$26.90 USD より
シリコンウェハー 2インチ Pタイプ(100) 0.05~0.09Ω SSP半導体基板 シリコンウェハー 2インチ Pタイプ(100) 0.05~0.09Ω SSP半導体基板
シリコンウェハー 2インチ Pタイプ(100) 0.05~0.09Ω SSP半導体基板
$16.90 USD より
シリコンウェーハ 2 インチ P/N タイプ 1~10Ω 酸化層半導体基板 シリコンウェーハ 2 インチ P/N タイプ 1~10Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 2 インチ P/N タイプ 1~10Ω 酸化層半導体基板
$26.90 USD より
Silicon Wafer 3inch FZ N-Type(100) >1000Ω Single Sided Polished Substrate Silicon Wafer 3inch FZ N-Type(100) >1000Ω Single Sided Polished Substrate
Silicon Wafer 3inch FZ N-Type(100) >1000Ω Single Sided Polished Substrate
$29.90 USD より
シリコンウェハー 3インチ P/N-Type(100) 0.001~0.005Ω 半導体基板 シリコンウェハー 3インチ P/N-Type(100) 0.001~0.005Ω 半導体基板
シリコンウェハー 3インチ P/N-Type(100) 0.001~0.005Ω 半導体基板
$17.90 USD より