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シリコンカーバイド基板 3C/6H/ ダミーグレード SiC ウェハー、高品質の研究用 SiC ウェハー。 透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。
炭化ケイ素基板 8インチ 光学グレード 4H SiCウェーハ
$1,550.00 より
Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background. 透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。
シリコンカーバイド基板 8インチ 半絶縁性 4H ダミーグレード SiC ウェハ IGBT
$2,100.00 より
Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background. 透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。
半絶縁性シリコンカーバイド基板 4inch/6inch 量産/ダミーグレード 4H SiCウェハー IGBT用
$1,250.00 より
窒化ケイ素（Si3N4）G5等級の高純度セラミックベアリングボール - Soka Technology 窒化ケイ素（Si3N4）G5等級の高純度セラミックベアリングボール - Soka Technology
窒化ケイ素（Si3N4）G10等級 高純度セラミックベアリングボール
$105.00 より
窒化ケイ素（Si3N4）G5等級の高純度セラミックベアリングボール - Soka Technology 窒化ケイ素（Si3N4）G5等級の高純度セラミックベアリングボール - Soka Technology
シリコンナイトライド（Si3N4）G16等級 高純度セラミックベアリングボール
$120.00 より
窒化ケイ素（Si3N4）G5等級の高純度セラミックベアリングボール - Soka Technology 窒化ケイ素（Si3N4）G5等級の高純度セラミックベアリングボール - Soka Technology
窒化ケイ素（Si3N4）G3等級 高純度 日本製 セラミックボール
$98.00 より
窒化ケイ素（Si3N4）G5等級の高純度セラミックベアリングボール - Soka Technology 窒化ケイ素（Si3N4）G5等級の高純度セラミックベアリングボール - Soka Technology
`窒化ケイ素（Si3N4）G5等級 高純度 セラミックベアリングボール`
$27.00 より
Silicon Nitride 熱伝導 Si3N4 セラミック基板 - Soka Technology 窒化ケイ素 高熱伝導 Si3N4 ヒートシンク用セラミック基板
窒化ケイ素 高熱伝導 Si3N4 ヒートシンク用セラミック基板
$175.00 より
silicon nitride製熱基板。銅クラッドを重ねたSiN IGBTヒートシンク。 Silicon Nitride製熱基板SiN IGBTヒートシンク。銅クラッド仕様で、高品質な導電性素材を採用。
IGBT用 銅クラッド付き 窒化ケイ素 (SiN) 熱基板／ヒートシンク
$690.00 より
alt シリコンウェハー 12インチ P型 1 - 100Ω 酸化膜半導体基板 - Soka Technology alt シリコンウェハー 12インチ P型 1 - 100Ω 酸化膜半導体基板 - Soka Technology
シリコンウェーハ 12inch P型 1-100Ω 酸化膜 半導体基板
$1,375.00 より
alt シリコンウェハー 12インチ P型 1 - 100Ω 酸化膜半導体基板 - Soka Technology alt シリコンウェハー 12インチ P型 1 - 100Ω 酸化膜半導体基板 - Soka Technology
シリコンウェーハ 12インチ P型 1-100Ω SiN層 半導体基板
$3,975.00 より
日本語: シリコンウェハー 12インチ 両面研磨 再生基板 - Soka Technology
シリコンウェーハ 12inch P型 1~100Ω 両面研磨基板
$450.00 より
シリコンウェーハ 8インチ P/N Type(100) 1-100Ω 単面/両面研磨 ダミーグレード 再生基板、保管容器入り。 alt 12インチ P型 シリコンウェーハ 1～100Ω 両面研磨 テストグレード 半導体基板 - Soka Technology
シリコンウェハー 12inch P型 1~100Ω 両面研磨 テストグレード 半導体基板
$975.00
12インチP型1-100Ωシリコンウェハー アルミ/銅層 半導体基板 - Soka Technology
シリコンウェハー 12inch P型 1-100Ω アルミニウム/銅層 半導体基板
$3,290.00 より
alt シリコンウエハー 18インチ 両面研磨 P100 1~50Ω - Soka Technology alt シリコンウエハー 18インチ 両面研磨 P100 1~50Ω - Soka Technology
シリコンウェーハ 18inch 両面研磨 P100 1~50Ω
$1,490.00
シリコンウェハー 1inch P/Nタイプ(100/111) 両面/片面研磨 半導体基板
シリコンウェハー 1inch P/Nタイプ(100/111) 両面/片面研磨 半導体基板
$195.00 より
Siliconウェハー 4inch P Type(100) SiN on SiO₂基板を保管容器に収納し、高品質な素材を示しています。 alt シリコンウェーハ 4inch N型 10~20Ω 酸化膜付き半導体基板 - Soka Technology
シリコンウェハー 乾式酸化層 P/N型 半導体基板
$450.00 より
保護包装入りの2インチN型(100/111)片面/両面研磨シリコンウェーハ、半導体基板。 alt シリコンウェーハ 3inch P型(100/111) 両面/片面研磨 半導体基板 - Soka Technology
シリコンウェーハ 2インチ FZ 両面研磨 半導体基板
$100.00 より
Silicon Wafer 4inch FZ N型(111) 50~70Ω 片面研磨基板 - Soka Technology 半導体研究用の保護容器入りシリコンウェーハ 4inch、P/N Type(100)、1〜5Ω。
シリコンウェハー 2inch FZ P/N タイプ(100/111) >1000Ω 単面/両面研磨基板
$29.90 より
保護包装入りの2インチN型(100/111)片面/両面研磨シリコンウェーハ、半導体基板。 保護包装入りの2インチN型(100/111)片面/両面研磨シリコンウェーハ、半導体基板。
シリコンウェハー 2inch N型(100/111) 片面/両面研磨 半導体基板
$29.00 より
シリコンウェハ 3インチ P/N Type 1~10Ω 酸化膜半導体基板 - Soka Technology alt シリコンウェーハ 4inch N型 10~20Ω 酸化膜付き半導体基板 - Soka Technology
シリコンウェーハ 2inch P型 10〜20Ω 酸化層 半導体基板
$35.00 より
保護包装入りの2インチN型(100/111)片面/両面研磨シリコンウェーハ、半導体基板。 alt シリコンウェーハ 3inch P型(100/111) 両面/片面研磨 半導体基板 - Soka Technology
シリコンウェーハ 2inch P型(100/111) 片面/両面研磨 半導体基板
$29.00 より
シリコンウェハ 3インチ P/N Type 1~10Ω 酸化膜半導体基板 - Soka Technology SiO₂基板上のSiN付き4インチP型(100)シリコンウェハー - 高品質な研究用材料。
シリコンウェーハ 2inch P/N タイプ 0.01~0.09Ω 酸化膜 半導体基板
$35.00 より
シリコンウェハ 3インチ P/N Type 1~10Ω 酸化膜半導体基板 - Soka Technology alt シリコンウェーハ 4inch N型 10~20Ω 酸化膜付き半導体基板 - Soka Technology
シリコンウエハー 2inch P/N型 1~100Ω 酸化膜層 半導体基板
$35.00 より