GaN on Sapphire wafer 2inch PG GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate
GaN on Sapphire wafer 2inch PG GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate

SOKA TECHNOLOGY

GaN on Sapphire wafer 2inch PG GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate

セール価格$4,675.00
Size:2inch
Quantity:5 pieces
数量:
♦️High-quality GaN wafer for Research and Experiment.
♦️Provide small quantities, special specifications products, and customized services
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GaN on Sapphire Specification:
  • Substrate:Sapphire ;
  • Diameter: 50.8+0.1mm ;
  • Orientation: C-plane 0.2 +0.1° to M-plane ;
  • Thickness: 430+15um ;
  • Orientation Flat:A-plane 10.25° ;
  • OF Length: 16+1 mm;
  • Front Side: CMP Ra ≤ 0.2nm;
  • Back Side: Lapping (Ra: 0.6 ~ 1.2um);
  • TTV: ≤10um;
  • Bow:-10~0um;
  • Warp: ≤ 10um ;
  • Laser Mark: Yes;
  • Epiwafer Structure
  • Layer 2:N-GaN 2~3um;
  • Layer 1:Buffer 2~3um;
  • Layer 0: Substrate;
  • Epitaxy Characteristics
  • Total Epitaxy Thickness:5~6um;
  • Thickness Std<3% ;
  • XRD GaN (002): ≤100 arcsec;
  • XRD GaN (102)≤100 arcsec ;
  • Dislocation density :~ 1e7 cm-2;
  • Conductivity:N-type;
  • Resistivy:≤0.1 (ohm-cm);
  • Surface Roughness:Ra ≤ 0.5 nm;
  • Sori≤ 90 um;
The GaN crystal quality of this new GaN-on-Sapphire substrate and the GaN substrate are at a comparable level.
Currently, PQGaN is a high-quality single-layer GaN material that can be used as a substrate. Customers can extend the GaN structure on top of it.
Furthermore, we can also manufacture customer-specified GaN extension structures on PQGaN substrates on your behalf if needed.

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