Neuigkeiten

Nagoya University und Partner entwickeln Prototypen von 6-Zoll-P-Typ-SiC-Wafern mittels Lösungswachstumsverfahren
Eine Forschungsgruppe, bestehend aus Oxide Power Crystal, Mipox, UJ-Crystal, A-Crystal, dem National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) und der Nagoya University, hat er...

Tohoku-Universität und NIMS-Durchbruch: Eine robuste amorphe Oxidkathode für wiederaufladbare Magnesiumbatterien
Forschende der Tohoku University und des National Institute for Materials Science (NIMS) haben erfolgreich ein amorphes Oxidkathodenmaterial für Magnesium-Akkus (RMBs) entwickelt, das sich bei Raum...

Ricoh beschleunigt die Serienproduktion von Perowskit-Solarzellen: Ziel sind über 300 MW Jahresausstoß bis FY2030
Ricoh entwickelt aktiv Technologien für die Massenproduktion von Perowskit-Solarzellen (PSC) und nutzt dabei den Green Innovation Fund von NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Org...

Polen strebt an, die Halbleiterproduktion zu steigern und die europäische Zusammenarbeit zu stärken
Die Polnische Agentur für Investitionen und Handel veranstaltete kürzlich das „Poland-Japan Investment Forum“, eine Veranstaltung, die darauf ausgerichtet war, japanischen Unternehmen und Investore...

NAND-SSD-Preise steigen weiter: Nachfrage aus Rechenzentren und Angebotsengpässe treiben Q4-Prognose
Laut TrendForce, einem angesehenen Forschungsunternehmen, wird der Vertragspreis für Enterprise-NAND-Flash-Speicher im Zeitraum Oktober bis Dezember 2025 quartalsweise voraussichtlich um 5-10% stei...

Mitsubishi Electric erhöht SiC-Kapazität mit neuer 8-Zoll-Anlage
Mitsubishi Electric hat mit der Fertigstellung einer neuen 8-Zoll-Herstellungsanlage für Siliziumkarbid (SiC) in seinem Werk Shisui in der Stadt Kikuchi, Präfektur Kumamoto, einen bedeutenden Meile...

SCREEN und IBM vertiefen Partnerschaft zur Bewältigung von Herausforderungen der nächsten EUV-Generation
SCREEN Semiconductor Solutions hat eine erweiterte Vereinbarung mit IBM bekannt gegeben, um Reinigungsprozesse speziell für die nächste Generation der Extrem-Ultraviolett-(EUV-)Lithografie zu entwi...

Kyoto Institute of Technology setzt auf CH4-Nutzung im GaN-Ätzprozess
Das Kyoto Institute of Technology (KIT) hat sich in jüngster Zeit einem GaN-Ätzverfahren zugewandt, das Methanplasma (CH4) nutzt und erhebliche Chancen zur Verringerung der Umweltbelastung bietet. ...

DRAM-Preise steigen: Im 4. Quartal 2025 wird ein Anstieg von bis zu 13 % erwartet
Der Aufwärtstrend bei DRAM-Preisen setzt sich unvermindert fort. Für das vierte Quartal 2025 (Oktober bis Dezember) wird für herkömmlichen DRAM ein Anstieg gegenüber dem Vorquartal um 8 Prozent bis...
