Tokuyama Develops PV Panel Decomposition Technology

Tokuyama entwickelt Technologie zur Zersetzung von PV-Modulen

Tokuyama macht Fortschritte beim Recycling ausgedienter Photovoltaik-(PV)-Module. Mithilfe eines einzigartigen thermischen Niedertemperatur-Zersetzungsverfahrens hat das Unternehmen erfolgreich Fl...
Tohoku University Japan: High-Temperature Single Crystal Production Using Tungsten

Tohoku-Universität Japan: Hochtemperatur-Einkristallproduktion mit Wolfram

Die Tohoku University in Japan hat eine neue Technologie entwickelt, um Oxid-Einkristalle bei hohen Temperaturen von 2200°C oder höher unter Verwendung eines Wolfram-Tiegels mit hohem Schmelzpunk...
NVIDIA and AMD: 15% of China's AI Semiconductor Sales to the Government

NVIDIA und AMD: 15 % der KI-Halbleiterverkäufe Chinas an die Regierung

Der ehemalige US-Präsident Trump enthüllte, dass NVIDIA und AMD 15 % ihrer Erlöse aus dem Verkauf von KI-Halbleitern in China an die US-Regierung zahlen würden. Im Gegenzug für diese Zahlung durfte...
ST Microelectronics Launches High-Efficiency IGBT for Home Appliances

ST Microelectronics bringt hocheffizienten IGBT für Haushaltsgeräte auf den Markt

STMicroelectronics hat den „STGWA30IH160DF2“ auf den Markt gebracht, einen IGBT mit hoher thermischer Effizienz. Mit einer Nennspannung von 1600V ist dieser IGBT für Hochleistungs-Haushaltsgeräte w...
Semiconductor-Fertigungsanlagenmarkt überschreitet die Marke von ¥20 Billionen – Soka Technology

Semiconductor-Fertigungsanlagen-Markt übertrifft ¥20-Billionen-Marke

Der Markt für Halbleiterfertigungsanlagen (einschließlich Dienstleistungen, basierend auf den Umsätzen von 36 großen Unternehmen) übertraf 2024 erstmals die Marke von ¥20 Billionen. Er verzeichnete...
SWeGaN-epitaktische GaN-auf-SiC-Wafer-Bestellungen verdoppelten sich von Januar bis Juni – Soka Technology

SWeGaN epitaktische GaN-auf-SiC-Wafer-Bestellungen verdoppelten sich von Januar bis Juni

Schwedens SweGaN, ein Hersteller von GaN-auf-SiC-epitaktischen Wafern, gab bekannt, dass seine Bestellungen für QuanFINE-epitaktische Wafer im ersten Halbjahr 2024 (Januar bis Juni) 16,510,308.20 U...
Die Universität Nagoya entwickelt neue GaN-Wachstumsmethode mit hoher Wachstumsrate bei niedrigen Temperaturen - Soka Technology

Nagoya University entwickelt neue GaN-Wachstumsmethode für schnelles Wachstum bei niedrigen Temperaturen

Nagoya University entwickelt neue GaN-Wachstumsmethode
Oxidschicht-Wafer-Bestandsliste - Soka Technology

Siliziumwafer-Bestandsliste