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名古屋大学と旭化成、高性能窒化アルミニウムHEMTを開発
名古屋大学と旭化成は、次世代半導体分野で重要なブレークスルーを発表しました。共同研究により、窒化アルミニウム基板上での窒化アルミニウム/窒化ガリウム/窒化アルミニウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)のヘテロ構造を整合成長させることに成功しました。この開発は高周波電子機器向け材料科学における画期的な転機を示しています。
この成果の中核は材料特性にあります。従来、窒化ガリウムデバイスは炭化ケ...

世界記録:佐賀大学とJAXAがダイヤモンド半導体で120ギガヘルツ増幅を達成
佐賀大学と宇宙航空研究開発機構(JAXA)は、次世代エレクトロニクス分野における画期的な進展を発表しました。共同研究グループは、ダイヤモンド製の高周波半導体デバイスを用い、120ギガヘルツのマイクロ波・ミリ波帯での増幅動作の実証に成功しました。この成果は世界水準の性能を示しており、信号処理の速度と出力の限界を押し広げるものです。
ダイヤモンドはその優れた物性から「究極の半導体材料」と称される...

リシェン(Lishen)電池、シリコンカーバイド陽極によるセミソリッドステート電池の量産へ
世界の電気自動車用バッテリーの状況は大きな技術的飛躍を迎えており、中国拠点のLishen Batteryが次世代のセミソリッド電池の生産スケジュールを正式に発表しました。2026年上半期から、Lishenは402 Watt-hours per kilogramという驚異的なエネルギー密度を備えたセルの量産を計画しています。
このブレイクスルーの核心は高度な材料組成にあります。正極には高ニッケ...

中国のEUV技術突破:世界的な半導体分離に向けた重要な転換点
ロイターの最近の調査により、Extreme Ultraviolet(極端紫外線)リソグラフィ装置のプロトタイプが中国で稼働していることが確認されました。この進展は単なる技術的到達点にとどまらず、世界の半導体産業における大規模な構造的再編の始まりを示している可能性があります。
過去5年間、厳格な輸出管理により多くの人々は中国の先進プロセス技術が世界のリーダーに比べて数世代遅れると考えていました...

韓国のPCB業界、AIとメモリ需要の高まりで好調
韓国のプリント基板産業は、人工知能の爆発的な需要とメモリ市場の堅調な回復により、著しい再興を迎えています。2025年の第1〜第3四半期のデータは主要企業にとって強い上昇トレンドを示しており、その勢いは2026年以降も続くと見込まれています。
ハードウェアに対するAIの影響
世界の大手テック企業がより強力なAIインフラを構築する中で、これらのシステムを支えるハードウェア基盤の重要性が増していま...

岡本グラス、先端放熱基板の生産強化に900百万円を投資
岡本ガラスは、半導体材料分野における大規模な戦略的拡大を正式に発表しました。同社は、アルミニウムナイトライド放熱基板の製造に不可欠な「グリーンシート」の製造装置を強化するために9億円超を投資する予定です。この動きは、名古屋大学発のハイテクスタートアップであるU-MAPとの継続的な協業を一層強化するものです。
パワーエレクトロニクスの急速な進化に伴い、放熱管理は重要なボトルネックとなっています...

NANDウェハ価格、エンタープライズ向けSSD需要急増で60%急騰
世界の半導体市場は2025年末に向けて劇的な変化を迎えています。市場調査大手のTrendForceによる最新データによれば、2025年11月にNANDフラッシュウェハの契約価格が大幅に上昇しました。最も懸念されるのは主流市場セグメントで、価格は最大で60%まで跳ね上がっています。この前例のない上昇は、主にエンタープライズ向けソリッドステートドライブ(SSD)への爆発的な需要、すなわち人工知能...

Stellantis と CATL、スペインに大規模バッテリー工場を建設:手頃な価格のEV時代の到来
Stellantis と Contemporary Amperex Technology Co., Limited (CATL) は、欧州の電気自動車分野における重要な節目を公式に迎えました。両社はスペイン、アラゴン州における新たなギガファクトリーの着工式を行いました。本施設はリチウム鉄リン酸(LFP)電池の生産に特化しており、電気自動車の普及を促進するための重要な技術です。
戦略的パートナ...

障壁を超えて:常温での炭化ケイ素とシリコンの接合
半導体業界における大きな突破として、SHW Techは2025年12月にシリコンカーバイド(SiC)と異種材料の室温での直接接合に成功したと発表しました。この開発により、これまで材料工学では「ほとんど不可能」と考えられてきた高温を用いずにシリコンカーバイドとシリコン、シリコンカーバイドとサファイアを効果的に接合する課題が克服されました。
本技術の核は熱膨張係数の不一致への対処にあります。従来...
