SiC/GaN/AIN ウェハー

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パッケージ入りの4インチPG GaNサファイアウェハー上ガリウムナイトライド半導体基板 alt 2枚の丸いウェハーが写った、4インチPG GaNガリウムナイトライド半導体基板、サファイア上GaNウェハー
サファイア基板上GaNウエハー 4インチ PG GaN 窒化ガリウム 半導体基板
$7,125.00
パッケージ入りの4インチPG GaNサファイアウェハー上ガリウムナイトライド半導体基板 alt 2枚の丸いウェハーが写った、4インチPG GaNガリウムナイトライド半導体基板、サファイア上GaNウェハー
サファイア基板上GaNウエハー 2inch PG GaN 窒化ガリウム半導体基板
$4,675.00
alt 2枚の丸いウェハーが写った、4インチPG GaNガリウムナイトライド半導体基板、サファイア上GaNウェハー パッケージ入りの4インチPG GaNサファイアウェハー上ガリウムナイトライド半導体基板
シリコン基板上GaN 6インチDモード窒化ガリウムウェハ
$7,500.00
GaN/サファイアウェハー 4インチ P型GaN 窒化ガリウム半導体基板、各種ウェハーサイズを表示。 透明ホルダー上の4インチP型GaNサファイア基板。窒化ガリウム半導体基板。
サファイア基板上GaN 2インチ P型GaN ガリウム窒化物半導体基板
$3,000.00
GaN/サファイアウェハー 4インチ P型GaN 窒化ガリウム半導体基板、各種ウェハーサイズを表示。 透明ホルダー上の4インチP型GaNサファイア基板。窒化ガリウム半導体基板。
サファイア基板上GaN 4インチ P型GaN 窒化ガリウム半導体基板
$4,200.00
alt AlNウエハー アルミニウムナイトライド単結晶半導体基板 - Soka Technology AlN単結晶高純度半導体基板 アルミニウムナイトライドウェハー 1～2inch - Soka Technology
AINウェーハ 窒化アルミニウム 単結晶半導体基板
$1,980.00 より
炭化ケイ素基板 3C/6H/ ダミーグレードSiCウエハー、青緑色のゲル表面の丸型容器入り。 シリコンカーバイド基板 3C/6H/ ダミーグレード SiC ウェハー、高品質の研究用 SiC ウェハー。
炭化ケイ素基板 3C/6H/ ダミーグレード SiCウェハー
$325.00 より
透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。
炭化ケイ素（SiC）EPI基板 6inch 生産グレード ウェハー IGBT
$1,390.00
シリコンカーバイド基板 3C/6H/ ダミーグレード SiC ウェハー、高品質の研究用 SiC ウェハー。 透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。
炭化ケイ素基板 4インチ 6インチ 光学グレード 4H SiCウェハー
$1,825.00 より
シリコンカーバイド基板 3C/6H/ ダミーグレード SiC ウェハー、高品質の研究用 SiC ウェハー。 透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。
炭化ケイ素基板 8インチ 光学グレード 4H SiCウェーハ
$1,550.00 より
炭化ケイ素SiCインゴット 8インチ N型 生産用/ダミーグレード - Soka Technology 炭化ケイ素SiCインゴット 8インチ N型 生産用/ダミーグレード - Soka Technology
シリコンカーバイド SiC インゴット 8inch N型 製作用／ダミーグレード
$635.00 より
炭化ケイ素SiCインゴット 8インチ N型 生産用/ダミーグレード - Soka Technology 炭化ケイ素SiCインゴット 8インチ N型 生産用/ダミーグレード - Soka Technology
炭化ケイ素 SiC インゴット 6inch Nタイプ 製作用 / ダミーグレード
$319.00 より
Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background. 透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。
炭化ケイ素基板 8インチ N型 量産/ダミー等級 4H SiC ウェハ IGBT
$1,100.00 より
Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background. 透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。
SiCウェーハ 12インチ ダミーグレード N型 4H シリコンカーバイド基板 IGBT
$9,900.00 より
Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.
シリコンカーバイド基板 6inch 4H N型 量産/ダミーグレード SiCウェーハ IGBT
$1,025.00 より
Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background. 透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。
シリコンカーバイド基板 8インチ 半絶縁性 4H ダミーグレード SiC ウェハ IGBT
$2,100.00 より
Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background. 透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。
半絶縁性シリコンカーバイド基板 4inch/6inch 量産/ダミーグレード 4H SiCウェハー IGBT用
$1,250.00 より
透明な容器に置かれた炭化ケイ素基板ウェハー。研究用途向けの高品質な仕上がりを示しています。 Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.
シリコンカーバイド基板 4インチ N型 ダミーグレード 4H SiC ウェハ IGBT用
$1,560.00